[发明专利]氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：在导电玻璃表面预植WO₃晶种；将导电玻璃浸入反应溶液，经水热反应后得到WO₃纳米棒薄膜；通过恒电位沉积在WO₃纳米棒薄膜表面沉积普鲁士蓝，得到WO₃/PB核壳纳米棒薄膜；将WO₃/PB核壳纳米棒薄膜进行热处理，得到WO₃/Fe₂O₃核壳纳米棒薄膜。解决了现有的纳米WO₃薄膜的制备方法较为复杂，可控性较低，且成本较高，制得的产物电化学性能不足，光电流密度较低的问题。

技术领域

本发明涉及，具体地，涉及一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法。

背景技术

纳米氧化钨薄膜具有许多优异的光电特性，是研究最广泛的光催化剂之一。WO₃还具有在酸性条件下化学稳定性好、耐光腐蚀、无毒、制备方便等优点。同时，WO₃可与一些过度金属氧化物形成复合薄膜材料﹐并广泛地应用于电致变色材料、气敏材料、共催化剂制备等领域。WO₃作为一种半导体光催化材料，可以用于制备光催化剂，进而用于有机污染物的降解等领域。半导体光催化是利用光催化剂在光照条件下生成一系列具有强氧化能力的空穴和自由基，进一步发生氧化分解反应使有机物污染物降解为CO₂和H₂O等无机物，从而达到对有机物的彻底氧化分解。纳米WO₃薄膜的制备方法有多种，而现有的纳米WO₃薄膜的制备方法较为复杂，可控性较低，且成本较高，制得的产物电化学性能不足，光电流密度较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法，解决了现有的纳米WO₃薄膜的制备方法较为复杂，可控性较低，且成本较高，制得的产物电化学性能不足，光电流密度较低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，所述制备方法包括：1)、在导电玻璃表面预植WO₃晶种；

2)、将步骤(1)中的导电玻璃浸入反应溶液，经水热反应后得到WO₃纳米棒薄膜；3)、通过恒电位沉积在WO₃纳米棒薄膜表面沉积普鲁士蓝，得到WO₃/PB核壳纳米棒薄膜；4)、将WO₃/PB核壳纳米棒薄膜进行热处理，得到WO₃/Fe₂O₃核壳纳米棒薄膜。

本发明还提供了一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜，所述氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜由上述的制备方法制得。