[发明专利]氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

1)、在导电玻璃表面预植WO₃晶种；

2)、将步骤(1)中的导电玻璃浸入反应溶液，经水热反应后得到WO₃纳米棒薄膜；

3)、通过恒电位沉积在WO₃纳米棒薄膜表面沉积普鲁士蓝，得到WO₃/PB核壳纳米棒薄膜；

4)、将WO₃/PB核壳纳米棒薄膜进行热处理，得到WO₃/Fe₂O₃核壳纳米棒薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

将钨酸盐溶液、盐酸溶液和过氧化氢溶液混合后，涂覆在导电玻璃表面，退火处理后得到预植有WO₃晶种的导电玻璃。

3.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

钨酸盐溶液的浓度为0.2-0.25mol/L；盐酸和钨酸的摩尔比为2.8-3.2:1；

优选地，将钨酸盐溶液加入盐酸后产生沉淀，离心后去除上层清液后向沉淀加入过氧化氢溶液至沉淀完全溶解，将得到的晶种溶液涂覆在导电玻璃表面；

优选地，离心的转速为5000-1000r/min，离心的时间为2-5min；

优选地，过氧化氢溶液的质量分数为28-32wt％，加入量为2-5mL。

4.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

将得到的晶种溶液200-500μL溶液涂覆到导电玻璃表面，在3000-5000rpm下旋转10-60s。

5.根据权利要求2所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

退火处理的条件包括温度为400-450℃，时间为1-2h。

6.根据权利要求1所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

在步骤(2)中，反应溶液的制备方法包括：将钨酸、过氧化氢和水混合得到前驱溶液；将前驱溶液、水和乙腈混合液、盐酸和尿素混合得到反应溶液；

优选地，前驱溶液的浓度为0.1-0.3mol/L；

优选地，钨酸和盐酸的摩尔比为1:9-11，尿素的用量为1-2mmol。

7.根据权利要求1所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

在步骤(2)中，水热反应的条件包括：温度为150-200℃，时间为10-24h。

8.根据权利要求1所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

在步骤(3)中，使用三电极体系恒电位进行电化学沉积，电沉积的电解液由K₃Fe(CN)₆、FeCl₃和KCl组成；

优选地，电解液由0.5-1.5mmol/L K₃Fe(CN)₆、0.5-1.5mmol/L FeCl₃和5-10mmol/L KCl组成。

9.根据权利要求8所述的氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜的制备方法，其中，

电化学沉积的条件包括：电压为0.2-0.4mV，沉积时间为60-150s；

导电玻璃选用FTO导电玻璃，FTO导电玻璃用作工作电极，铂板用作对电极，Ag/AgCl用作参比电极；

优选地，在步骤(4)中，热处理的温度为200-500℃。

10.一种氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜，其特征在于，所述氧化钨/三氧化二铁核壳纳米棒薄膜由权利要求1-9中任意一项所述的制备方法制得。