[发明专利]一种井下光纤氢损老化测试方法

权利要求书

1.一种井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，包括：

对尾纤进行光功率测试，获得光功率值P₁；

将所述尾纤与裸纤进行连接，对与裸纤连接的尾纤进行光功率测试，获得光功率值P₂；

获得老化试验前的损耗值△Pa＝∣P₁-P₂∣；

将未与裸纤连接的尾纤以及与裸纤连接的尾纤进行老化，分别获得未与裸纤连接的尾纤以及与裸纤连接的尾纤的光功率值P₃和P₄；

获得老化试验后的损耗值△Pb＝∣P₃-P₄∣；

通过对比老化试验前和老化试验后的损耗值，获得光纤氢损老化结果。

2.如权利要求1所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述光功率测试首先保持待测样品的测试断口清洁，将所述待测样品一端连接光源，另一端连接光功率计，对所述待测样品进行若干次拉直、对调双向测试，获取每一次检测的光功率值，并取其平均值作为待测样品的光功率值。

3.如权利要求2所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述光功率测试的光源采用稳定辐射的光源，所述光源稳定地输出预定波长、预定模式和预定功率的光信号，所述光源包括卤钨灯、激光器或发光二极管。

4.如权利要求3所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述光功率测试能够在一个或多个波长上测量，或者在预设波长范围内测试，测试波长由所述光源以及光功率计决定。

5.如权利要求4所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述测试波长在800-1600nm的范围内，其中，多模光纤的测试波长在850nm-1300nm范围内，单模光纤的测试波长在1310nm-1550nm范围内。

6.如权利要求1-5任一项所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述尾纤与裸纤的连接方法包括：熔接、裸纤快速耦合器或转接头。

7.如权利要求1-5任一项所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述老化试验中总压在2-50MPa的范围内；氢分压在1-5MPa的范围内；温度在100℃-500℃的范围内；待测样品的放置时间为1-12天。

8.如权利要求1-5任一项所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述光纤为短距离光纤，所述光纤的长度在1-5m范围内。

9.如权利要求8所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述尾纤的最短长度小于5m。

10.如权利要求9所述的井下光纤氢损老化测试方法，其特征在于，所述光纤包括多模光纤和单模光纤，所述多模光纤包括OM1光纤或OM2/OM3光纤；所述单模光纤包括：色散非位移单模光纤、色散位移光纤、截止波长位移光纤、非零色散位移光纤、低斜率非零色散位移光纤或耐弯光纤。