[发明专利]成膜系统和成膜方法

说明书

本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。

本申请是申请日为2019年8月9日、申请号为201910733755.5、发明名称为“成膜装置、成膜系统以及成膜方法”的申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及一种成膜系统和成膜方法。

背景技术

在半导体器件这样的电子器件的制造中，进行在基板上形成膜的成膜处理。作为成膜处理所使用的成膜装置，公知有溅射装置。

在专利文献1中提出了如下技术作为用于针对基板上的图案实现使溅射粒子入射方向一致的指向性较高的成膜的技术：使溅射粒子相对于基板倾斜地入射。

专利文献1所记载的成膜装置具有：真空容器、基板保持台，其设置于真空容器内；靶保持件，其保持靶；以及遮蔽组件，其设置于靶保持件与基板保持台之间，具有开口(穿过孔)。并且，一边利用移动机构使基板保持台移动，一边使从靶释放出来的溅射粒子在遮蔽组件的开口穿过而使溅射粒子以预定的角度向基板上入射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-67856号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。

用于解决问题的方案

本公开的一形态的成膜装置具备：处理腔室，其规定对基板进行成膜处理的处理空间；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在所述处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供从所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部释放出来的所述溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其隔着所述处理空间的所述溅射粒子遮蔽板设置于与所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部相反的一侧，该基板支承部用来支承基板；基板移动机构，其使支承于所述基板支承部的基板直线地移动；以及控制部，其控制所述第1溅射粒子释放部、所述第2溅射粒子释放部以及所述基板移动机构，所述控制部以利用所述基板移动机构使所述基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，使从所述第1溅射粒子释放部和所述第2溅射粒子释放部释放出来的所述溅射粒子在所述穿过孔穿过，并向所述基板上堆积。

本公开的另一形态的成膜系统具有：至少一个成膜装置，其具有使溅射粒子倾斜地释放的溅射粒子释放部，一边使基板向一方向直线地移动，一边使溅射粒子从所述溅射粒子释放部释放而对基板进行溅射成膜；基板输送模块，其向所述成膜装置输送基板；以及基板旋转机构，其使基板在面内旋转，其中，该成膜系统具有至少两个所述成膜装置，在利用所述成膜装置中的一者进行了成膜之后，利用所述基板旋转机构使基板面内旋转，利用所述基板输送模块向所述成膜装置中的另一者输送，进行成膜，或者，该成膜系统具有多个所述成膜装置，构成为，利用所述输送模块向多个所述成膜装置串行地输送基板，所述基板旋转机构构成为，使基板旋转，以便由多个所述成膜装置进行的成膜的朝向被交替地切换。