[发明专利]一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法

权利要求书

1.一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，其特征在于：包括以下步骤；

S1、制备上盖板：使用热氧化工艺，在上盖板硅晶圆(11)的表面生长二氧化硅绝缘层并单面光刻腐蚀出结构单元，采用玻璃回流填充和研磨抛光工艺得到上盖板玻璃层(12)，使用单面光刻干法在所述上盖板玻璃层(12)的上表面刻蚀出上盖板外电极极板(13)，在所述上盖板外电极极板(13)的上表面镀金属得到上盖板内电极(14)，上盖板(1)制备完成，所述上盖板玻璃层(12)的材质为BF33/SD-2玻璃，所述上盖板内电极(14)的材料为钛；

S2、制备敏感层：在敏感层硅晶圆(21)表面生长二氧化硅和氮化硅绝缘层，双面光刻腐蚀出结构单元并形成摆锤间隙结构(22)，敏感层(2)制备完成；

S3、制备下盖板：使用热氧化工艺，在下盖板硅晶圆(31)的表面生长二氧化硅绝缘层并单面光刻腐蚀出结构单元，采用玻璃回流填充和研磨抛光工艺得到下盖板玻璃层(32)，使用单面光刻干法在所述下盖板玻璃层(32)的上表面刻蚀出下盖板外电极极板(33)，在所述下盖板外电极极板(33)的上表面镀金属得到下盖板内电极(34)，下盖板(3)制备完成，所述上盖板玻璃层(32)的材质为BF33/SD-2玻璃，所述下盖板内电极(34)的材料为钛；

S4、键合：将所述上盖板(1)和所述下盖板(3)中的结构图形与所述敏感层(2)的结构图形对正后在真空或惰性气体环境下进行阳极键合，得到加速度计。

2.根据权利要求1所述的一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，其特征在于：步骤S1包括：

S11、对上盖板硅晶圆本体(111)进行标清清洗，使用热氧化工艺对所述上盖板硅晶圆本体(111)双面镀氧化硅掩膜得到氧化硅掩膜层(A)，然后进行匀胶光刻，将光刻胶(B)未保护的氧化硅掩膜层(A)去除；

S12、放入KOH溶液进行双面腐蚀，得到上盖板凸台结构(112)；放入BOE溶液中去除所述氧化硅掩膜层(A)；

S13、对所述上盖板玻璃层(12)和所述上盖板硅晶圆(11)进行标清清洗，将所述上盖板玻璃层(12)和腐蚀出单元图形的所述上盖板硅晶圆(11)进行阳极键合，键合完成之后进行化学清洗；将键合完成之后的复合片放入管式炉之后进行高温回流填充，然后进行研磨抛光；

S14、对所述复合片进行化学清洗和行匀胶光刻，采用ICP设备对玻璃和硅进行干法刻蚀，得到所述上盖板外电极极板(13)；

S15、使用lift off方式镀所述上盖板内电极(14)；

S16、使用硬掩膜镀铝外电极，所述上盖板(1)制备完成。

3.根据权利要求2所述的一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，其特征在于：步骤S12中，腐蚀温度为70℃-80℃，z向腐蚀速率为50-60μm/h。

4.根据权利要求2所述的一种基于GIS盖板的三明治加速度计制备方法，其特征在于：所述上盖板(1)包括依次设置的所述上盖板硅晶圆(11)、所述上盖板玻璃层(12)、所述上盖板外电极极板(13)和所述上盖板内电极(14)，所述上盖板内电极(14)面向所述敏感层(2)，所述上盖板(1)为GIS盖板；

所述上盖板硅晶圆(11)包括上盖板硅晶圆本体(111)和设置在所述上盖板硅晶圆本体(111)表面的上盖板凸台结构(112)。