[发明专利]一种单光子光电器件的测量方法、装置有效
申请号: | 202111489887.1 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN113884280B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 李梁 | 申请(专利权)人: | 武汉市聚芯微电子有限责任公司 |
主分类号: | G01M11/00 | 分类号: | G01M11/00;G01R31/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 蒋雅洁;张颖玲 |
地址: | 430270 湖北省武汉市东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光子 光电 器件 测量方法 装置 | ||
本申请公开了一种单光子光电器件的测量方法和测量装置,上位机向控制器发送针对第一单光子光电器件的第一指令,所述第一单光子光电器件为至少两个单光子光电器件中任一单光子光电器件;所述控制器基于所述第一指令导通第一电源通路和第一输出通路,所述第一电源通路为所述第一单光子光电器件与电源端之间通路,所述第一输出通路为所述第一单光子光电器件与输出端之间的通路;所述电源端通过所述第一电源通路向所述第一单光子光电器件施加偏置电压;所述第一单光子光电器件在施加所述偏置电压的情况下输出的信号通过所述第一输出通路输出至所述输出端,使得所述输出端将所述信号输出至测量设备,能够提高单光子光电器件的指标的测量效率。
技术领域
本申请涉及量子通信设备测量技术,尤其涉及一种单光子光电器件的测量方法、装置。
背景技术
单光子光电器件是诸如单光子计数激光雷达等测量设备的核心器件。激光雷达传感器在其每个像素内放置了一个单光子光电器件。每一个器件在接收到一个入射的光子时,都有一定概率能将这个光子转变成载流子的“雪崩效应”,从而产生一个大的电脉冲信号。这种从单光子产生雪崩倍增效应的能力,在图像捕捉时可以提供更高的灵敏度和更高的距离测量精度。单光子光电器件包括:光电倍增管(photomultiplier tube,PMT)光电单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)等可用于单光子计数的光电器件。
为了衡量一个单光子光电器件的性能好坏,需要对其进行性能测量。为了定量地表征一个单光子光电器件的性能,其性能指标包括:单光子探测效率、暗计数等。
在测量单光子光电器件的性能指标时,需要测量几百甚至上千个不同的单光子光电器件,从而确定不同的设计参数(比如:硅片掺杂)对单光子光电器件的性能的影响。但是,相关技术中,需要手动插拔单光子光电器件,从而手动控制单光子光电器件与待测芯片的连接,导致测量效率低。
发明内容
本申请实施例提供一种单光子光电器件的测量方法、装置,能够提高单光子光电器件的指标的测量效率。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种单光子光电器件的测量方法,应用于测量装置,所述装置包括上位机、控制器、至少两个单光子光电器件、电源端和输出端,所述电源端用于将电源提供的偏置电压施加至所述至少两个单光子光电器件的任一单光子光电器件,所述输出端用于将所述至少两个单光子光电器件中施加偏置电压的单光子光电器件输出的信号输出至测量设备;所述方法包括:
所述上位机向所述控制器发送针对第一单光子光电器件的第一指令,所述第一单光子光电器件为所述至少两个单光子光电器件中任一单光子光电器件;
所述控制器基于所述第一指令导通第一电源通路和第一输出通路,所述第一电源通路为所述第一单光子光电器件与所述电源端之间通路,所述第一输出通路为所述第一单光子光电器件与所述输出端之间的通路;
在所述第一电源通路和第一输出通路导通的情况下,所述电源端将所述电源提供的所述偏置电压通过所述第一电源通路施加至所述第一单光子光电器件,所述第一单光子光电器件在施加所述偏置电压的情况下输出的信号通过所述第一输出通路输出至所述输出端,使得所述输出端将所述信号输出至所述测量设备。
第二方面,本申请实施例提供一种装置,所述装置包括:所述装置包括上位机、控制器、至少两个单光子光电器件、电源端和输出端;
所述电源端用于将电源提供的偏置电压施加至所述至少两个单光子光电器件的任一单光子光电器件;
所述输出端用于将所述至少两个单光子光电器件中施加偏置电压的单光子光电器件输出的信号输出至测量设备;
所述上位机,用于向所述控制器发送针对第一单光子光电器件的第一指令,所述第一单光子光电器件为所述至少两个单光子光电器件中任一单光子光电器件;
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