[发明专利]一种无线无源声表面波压力传感器及其制备方法在审
| 申请号: | 202111488949.7 | 申请日: | 2021-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN114136507A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 车颜贤;曾庆平;宋轶佶;何峰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号: | G01L1/16 | 分类号: | G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 廖元宝 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 无线 无源 表面波 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,包括衬底(1),所述衬底(1)的中部位置设置有压力空腔;所述衬底(1)的上表面设有压电薄膜(3),所述压电薄膜(3)的上表面设置有第一声表面波器件(7),所述压电薄膜(3)的下表面设置有第二声表面波器件(8),所述第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8)均为压力感应器件且正对于所述压力空腔,SAW传播方向沿所述压电薄膜(3)长度方向。
2.根据权利要求1所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述压电薄膜(3)的上表面依次设置有第一粘附层(6)和第一保护层(4),所述第一声表面波器件(7)位于所述第一粘附层(6)上且位于所述第一保护层(4)内。
3.根据权利要求2所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述压电薄膜(3)的下表面依次设置有第二粘附层(5)和第二保护层(2),所述第二声表面波器件(8)位于所述第二粘附层(5)上且位于所述第二保护层(2)内。
4.根据权利要求1或2或3所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,还包括第三声表面波器件(9),所述第三声表面波器件(9)位于所述压电薄膜(3)的上表面或下表面,且位于无形变的压力空腔支撑区,所述第三声表面波器件(9)为温度感应器件,SAW传播方向垂直于压力感应器件的SAW传播方向。
5.根据权利要求1或2或3所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述第一声表面波器件(7)包括第一叉指换能器(71)、第一反射器(72)和第二反射器(73),第二声表面波器件(8)包括第二叉指换能器(81)、第三反射器(82)和第四反射器(83)。
6.一种如权利要求1~5中任意一项所述的无线无源声表面波压力传感器的制备方法,其特征在于,包括步骤:
在压电薄膜(3)基片的两侧制备第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8);
在硅片上制备压力空腔,形成衬底(1);
将声表面波器件与具有压力空腔的硅片进行键合,得到声表面波压力传感器。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在压电薄膜(3)基片的两侧制备第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8)的具体过程为:
1.1、基片的预清洗;
1.2、基片减薄;
1.3、基片双面沉积粘附层;
1.4、基片一侧涂胶;
1.5、前烘,用于去除胶中水汽减少流动性;
1.6、基片的另一侧涂胶;
1.7、再前烘;
1.8、分别对基片的两个面进行光刻;
1.9、显影;
1.10、后烘;
1.11、分别对基片的两个面进行电极沉积,形成第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8);
1.12、沉积保护层。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在步骤1.11中,在基片的上表面进行电极淀积得到第三声表面波器件(9),所述第三声表面波器件(9)为温度感应器件。
9.根据权利要求6或7或8所述的制备方法,其特征在于,压力空腔制备过程为:
2.1、硅片标准清洗;
2.2、沉积阻挡层,用于湿法刻蚀保护图形不受刻蚀液刻蚀;
2.3、涂胶;
2.4、前烘;
2.5、光刻;
2.6、显影;
2.7、后烘;
2.8、刻蚀,对阻挡层进行选择性刻蚀,刻蚀深度为暴露出硅片即可;
2.9、去胶,去除光刻胶为刻蚀做准备;
2.10、刻蚀。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在2.8和2.10中,所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。
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