[发明专利]一种无线无源声表面波压力传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111488949.7 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114136507A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 车颜贤;曾庆平;宋轶佶;何峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01L9/08
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 廖元宝
地址: 410111 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 无线 无源 表面波 压力传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,包括衬底(1),所述衬底(1)的中部位置设置有压力空腔;所述衬底(1)的上表面设有压电薄膜(3),所述压电薄膜(3)的上表面设置有第一声表面波器件(7),所述压电薄膜(3)的下表面设置有第二声表面波器件(8),所述第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8)均为压力感应器件且正对于所述压力空腔,SAW传播方向沿所述压电薄膜(3)长度方向。

2.根据权利要求1所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述压电薄膜(3)的上表面依次设置有第一粘附层(6)和第一保护层(4),所述第一声表面波器件(7)位于所述第一粘附层(6)上且位于所述第一保护层(4)内。

3.根据权利要求2所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述压电薄膜(3)的下表面依次设置有第二粘附层(5)和第二保护层(2),所述第二声表面波器件(8)位于所述第二粘附层(5)上且位于所述第二保护层(2)内。

4.根据权利要求1或2或3所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,还包括第三声表面波器件(9),所述第三声表面波器件(9)位于所述压电薄膜(3)的上表面或下表面,且位于无形变的压力空腔支撑区,所述第三声表面波器件(9)为温度感应器件,SAW传播方向垂直于压力感应器件的SAW传播方向。

5.根据权利要求1或2或3所述的无线无源声表面波压力传感器,其特征在于,所述第一声表面波器件(7)包括第一叉指换能器(71)、第一反射器(72)和第二反射器(73),第二声表面波器件(8)包括第二叉指换能器(81)、第三反射器(82)和第四反射器(83)。

6.一种如权利要求1~5中任意一项所述的无线无源声表面波压力传感器的制备方法,其特征在于,包括步骤:

在压电薄膜(3)基片的两侧制备第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8);

在硅片上制备压力空腔,形成衬底(1);

将声表面波器件与具有压力空腔的硅片进行键合,得到声表面波压力传感器。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在压电薄膜(3)基片的两侧制备第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8)的具体过程为:

1.1、基片的预清洗;

1.2、基片减薄;

1.3、基片双面沉积粘附层;

1.4、基片一侧涂胶;

1.5、前烘,用于去除胶中水汽减少流动性;

1.6、基片的另一侧涂胶;

1.7、再前烘;

1.8、分别对基片的两个面进行光刻;

1.9、显影;

1.10、后烘;

1.11、分别对基片的两个面进行电极沉积,形成第一声表面波器件(7)和第二声表面波器件(8);

1.12、沉积保护层。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在步骤1.11中,在基片的上表面进行电极淀积得到第三声表面波器件(9),所述第三声表面波器件(9)为温度感应器件。

9.根据权利要求6或7或8所述的制备方法,其特征在于,压力空腔制备过程为:

2.1、硅片标准清洗;

2.2、沉积阻挡层,用于湿法刻蚀保护图形不受刻蚀液刻蚀;

2.3、涂胶;

2.4、前烘;

2.5、光刻;

2.6、显影;

2.7、后烘;

2.8、刻蚀,对阻挡层进行选择性刻蚀,刻蚀深度为暴露出硅片即可;

2.9、去胶,去除光刻胶为刻蚀做准备;

2.10、刻蚀。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,在2.8和2.10中,所述刻蚀为干法刻蚀或湿法刻蚀。

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