[发明专利]一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的前表面从内到外包括至少一层正面钝化层，所述晶硅衬底的背表面从内到外分别包括隧穿氧化层、交替排列的n+掺杂多晶硅层、p+掺杂多晶硅层、背面钝化层、激光开槽区、负电极/正电极。

2.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述晶硅衬底为N型单晶硅、P型单晶硅中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚1-2nm。

4.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂多晶硅厚度为30-140nm，p+掺杂多晶硅层厚度为30-140nm。

5.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层为SiO2层、AlOx层的一种，叠加SiONx、SiNx层中的任意一种，总厚度75-100nm，折射率1.7-2.4。

6.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层为SiONx层、SiNx的一种或两种叠层组合，厚度70-100nm，折射率1.7-2.4。

7.根据权利要求1所述的一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池，其特征在于，所述激光开槽区为去除中间背面钝化层、多晶硅层，保留隧穿氧化层，开槽宽度为0.01-200μm。

8.根据权利要求1-7任一项一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池的其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：抛光，对晶硅衬底进行双面抛光；

S2：采用LPCVD，在晶硅衬底背表面沉积隧穿氧化层及本征非晶层；

S3：制绒，对晶硅衬底正面进行制绒；

S4：热氧退火，衬底温度700℃，在正面制备SiOx层，对本征非晶硅层进行退火形成多晶态；

S5：采用丝网印刷技术，在背面本征多晶硅层n+区制备磷浆层，在p+区制备硼浆层；

S6：激光掺杂，对背面n+区磷浆/p+区硼浆进行掺杂；

S7：超声波清洗，对掺杂P区及N区的硅片表面残余的硼浆及磷浆清洗干净；

S8：采用PECVD，在正表面、背表面双面镀减反射膜；

S9：激光开槽，对晶硅衬底背表面p+区/n+区中间区域开槽隔离；

S10：采用丝网印刷、喷墨打印、激光转印、化学镀、电镀、PVD法的任意一种技术叠加中高温烧结或激光烧结技术制备背面正电极、负电极。

9.根据权利要求1-7任一项一种背面钝化接触结构的HBC太阳能电池的其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：抛光，对晶硅衬底进行双面抛光；

S2：采用LPCVD，在晶硅衬底背表面沉积隧穿氧化层及本征非晶层；

S3：制绒，对晶硅衬底正面进行制绒；

S4：采用丝网印刷技术，在背面本征多晶硅层n+区制备磷浆层，在p+区制备硼浆层；

S5：激光掺杂，对背面n+区磷浆/p+区硼浆进行掺杂；

S6：超声波清洗，对掺杂P区及N区的硅片表面残余的硼浆及磷浆清洗干净；

S7：热氧退火，衬底温度700℃，在正面制备SiOx层，对n+/p+掺杂非晶硅层进行退火形成多晶态；

S8：采用PECVD，在正表面、背表面双面镀减反射膜；

S9：激光开槽，对晶硅衬底背表面p+区/n+区中间区域开槽隔离；

S10：采用丝网印刷、喷墨打印、激光转印、化学镀、电镀、PVD法的任意一种技术叠加中高温烧结或激光烧结技术制备背面正电极、负电极。