[发明专利]有机硅触体回床的方法

权利要求书

1.一种有机硅触体回床的方法，其特征在于，包括：

S1：将硅粉和铜系催化剂在触体罐进行混合，形成第一触体，将所述第一触体输入流化床反应器，同时将氯甲烷气体通入所述流化床反应器，使硅粉和氯甲烷在铜系催化剂作用下进行反应，生成甲基氯硅烷粗品；

S2：将所述甲基氯硅烷粗品依次输入一级旋风分离器、二级旋风分离器、三级旋风分离器进行分离，依次分离得到第二触体、第三触体、第四触体、甲基氯硅烷和氯甲烷，所述甲基氯硅烷和氯甲烷进入下一步除杂工序；

S3：将经过所述一级旋风分离器分离得到的所述第二触体直接输至所述流化床反应器进行反应，将经过所述二级旋风分离器分离得到的所述第三触体、经过所述三级旋风分离器分离得到的所述第四触体输至细粉活化床进行活化；

S4：将氮气通入所述细粉活化床中对所述第三触体和所述第四触进行活化，然后在细粉罐收集活化后的所述第三触体和所述第四触体并输至所述流化床反应器进行回用。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜系催化剂为氧化亚铜、氯化亚铜中的一项或多项。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一触体中的所述铜系催化剂质量分数为4-7％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流化床反应器内的温度为280-310℃，压力为0.28-0.31MPa。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述细粉活化床通过夹套内的导热油进行加热，所述导热油的温度为240-260℃，所述细粉活化床内的温度为100-120℃，压力为0.1-0.2MPa。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将经过二级旋风分离器分离得到的第三触体、经过三级旋风分离器分离得到的第四触体输至细粉活化床进行活化，包括：

将所述第三触体、所述第四触体的粒径进行取样测试，若所述第三触体、所述第四触体的粒径大于等于30μm，则将所述第三触体、所述第四触体输至细粉活化床进行活化。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若所述第三触体、所述第四触体的粒径小于30μm，则将所述第三触体、所述第四触体作为废触体经所述触体罐进行定向转化处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触体罐还用于当所述流化床反应器停车时，将所述流化床反应器内的触体送入所述触体罐。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述细粉活化床内的所述氮气的流量为1000Nm³/h。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述细粉活化床后设置有过滤系统，所述过滤系统将除去的所述第三触体、所述第四触体表面的碳杂质收集后进行焚烧。