[发明专利]一种集成LC滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种集成LC滤波器，其特征在于，包括衬底、第一导电层、第一介质层和第二导电层；所述衬底的第一表面开设有至少一个第一凹槽，所述第一导电层、第一介质层、第二导电层依次设置于已形成所述至少一个第一凹槽的所述衬底的第一表面；所述第一导电层、所述第一介质层和所述第二导电层形成的叠层结构为所述集成LC滤波器提供电容；所述至少一个第一凹槽包括一个连续线条形第一凹槽，所述连续线条形第一凹槽内设置的所述第二导电层形成与所述连续线条形第一凹槽匹配的导电绕组，所述导电绕组为所述集成LC滤波器提供电感。

2.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述第一导电层在包括所述至少一个第一凹槽表面的所述衬底的第一表面连续，所述第二导电层设置于所述至少一个第一凹槽内部。

3.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述至少一个第一凹槽的截面为矩形或者梯形。

4.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述至少一个第一凹槽的深度大于开口宽度。

5.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述衬底为高阻硅，所述第一导电层为重掺杂的硅，所述第一介质层为氧化硅、氮化硅或者高K介质，所述第二导电层为铜。

6.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述第二导电层完全填充所述至少一个第一凹槽。

7.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述连续线条形第一凹槽为螺旋形第一凹槽。

8.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述集成LC滤波器的第一端口耦合到所述导电绕组的一端和所述第一导电层之间，所述集成LC滤波器的第二端口耦合到所述导电绕组的另一端和所述第一导电层之间。

9.根据权利要求1所述的集成LC滤波器，其特征在于，所述第一凹槽还包括一组非连续第一凹槽，所述一组非连续第一凹槽内设置的所述第一导电层、第一介质层、第二导电层形成的叠层结构提供集成LC滤波器的电容。

10.一种集成LC滤波器的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成从衬底表面延伸至内部的第一凹槽；

在包括所述第一凹槽表面的所述衬底表面引入高浓度掺杂杂质形成第一导电层；

在所述第一导电层表面采用原子层沉积等化学气相沉积方法或热氧化方法形成第一介质层；

在所述第一介质层表面溅射种子层，然后电镀形成第二导电层；

研磨、化学机械抛光或者刻蚀，去除所述第一凹槽区域以外的第二导电层，保留位于凹槽内的第二导电层；

在所述至少一个第一凹槽区域以外形成第一介质层的刻蚀窗口，在刻蚀窗口处露出第一导电层以便结合后续工艺进行电学连接。