[发明专利]石墨相氮化碳/空位氧化铋纳米片复合材料、制备方法和应用

权利要求书

1.g-C₃N₄/BiO_2-x纳米片复合材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1，将g-C₃N₄分散在浓硫酸中，经搅拌水洗后得到g-C₃N₄纳米片；

步骤2，将铋酸钠加入到氢氧化钠溶液中，充分搅拌后，在160-200℃下进行溶剂热反应，反应完成后，水洗，烘干，得到BiO_2-x纳米片；

步骤3，搅拌下，将g-C₃N₄纳米片和BiO_2-x纳米片加入到甲醇中，超声搅拌，水洗，烘干，制得g-C₃N₄/BiO_2-x纳米复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，g-C₃N₄与浓硫酸的比例为0.2:25，g:mL。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，浓硫酸的浓度为98％。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，溶剂热反应温度为180℃，反应时间为12h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，NaOH溶液的浓度为1M。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，g-C₃N₄纳米片与BiO_2-x纳米片的质量比为1～3:20。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，g-C₃N₄纳米片与BiO_2-x纳米片的质量比为1:10。

8.根据权利要求1至7任一所述的制备方法制得的g-C₃N₄/BiO_2-x纳米片复合材料。

9.根据权利要求8所述的g-C₃N₄/BiO_2-x纳米片复合材料在可见光和/或近红外光下光热杀菌的应用。