[发明专利]一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法及阻垢剂在审
| 申请号： | 202111444966.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114159975A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 邵兰燕;方艺民;学贤;董正军;邹彤;胡根福 | 申请（专利权）人： | 厦门嘉戎技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B01D65/06 | 分类号： | B01D65/06;B01D65/08 |
| 代理公司： | 福建如浩律师事务所 35223 | 代理人： | 林俊红 |
| 地址： | 361115 福建省厦门市厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反渗透 膜硅垢阻垢剂 制备 方法 阻垢剂 | ||
1.一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：将羧酸聚合物、磺酸聚合物混合搅拌10-20min，并将混合液加热至40-50℃；
S2：将羟基化合物加入步骤S1所得溶液中，在40-50℃的恒温条件下搅拌30-40min至完全溶解；
S3：将季铵盐聚合物加入步骤S2所得溶液中，在40-50℃的恒温条件下搅拌10-20min，冷却得到阻垢剂A；
S4：将微纳米气泡通入阻垢剂A中，得到阻垢剂B。
2.如权利要求1所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述羧酸聚合物为PESA，且所述PESA的质量百分比浓度为30-50％，聚合度为5-10。
3.如权利要求1所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述磺酸聚合物为AA/AMPS，且所述AA/AMPS的质量百分比浓度为30-40％。
4.如权利要求1所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S2中：所述羟基化合物为硼酸、没食子酸或柠檬酸。
5.如权利要求1所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S3中：所述季铵盐聚合物为PEI，且所述PEI的质量百分比浓度为99％。
6.如权利要求1所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述微纳米气泡的直径小于50微米。
7.如权利要求1或6所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂的制备方法，其特征在于：步骤S4中，所述微纳米气泡与阻垢剂A的体积比为2:5。
8.一种采用权利要求1至7中任一所述的方法制备得到的反渗透膜硅垢阻垢剂。
9.如权利要求8所述的一种反渗透膜硅垢阻垢剂，其特征在于：包括羧酸聚合物、磺酸聚合物、羟基化合物及季铵盐聚合物，其中各组分按质量百分比计为：
所述羧酸类聚合物为PESA，占比15-25％；
所述磺酸聚合物为AA/AMPS，占比15-25％；
所述季铵盐聚合物为PEI，占比45-55％；
所述羟基化合物为硼酸，占比5-15％。
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