[发明专利]一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111439768.5 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141951A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李国华;夏超;侯蕊;黄辉;王宁;周雪;李晨曦;周祥;黄志祥 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230601 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 溴铅铯 甲基 胺溴化铅单晶异质结 窄带 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于溴铅铯/甲基胺溴化铅单晶异质结的窄带光电探测器，其特征在于：所述窄带光电探测器是通过CsPbBr3单晶与MAPbBr3单晶所构成的异质结实现光的探测。
2.一种权利要求1所述的窄带光电探测器的制备方法，其特征在于：首先通过蒸发溶剂法制备CsPbBr3单晶，再通过逆温法在CsPbBr3单晶的上表面和四周外延生长MAPbBr3单晶，构成CsPbBr3/MAPbBr3单晶异质结，最后利用碳浆制作上下电极，即获得窄带光电探测器。
3.根据权利要求2所述的窄带光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、制备CsPbBr3单晶
将PbBr2和CsBr按摩尔比1：1加入到DMSO中，搅拌至完全溶解后置于敞口容器中，再置于35-40℃左右的热台上，等待单晶析出，获得CsPbBr3单晶；
步骤2、制备CsPbBr3单晶/MAPbBr3单晶异质结
将PbBr2和MABr粉末溶于DMF中，充分搅拌，获得0.7-1M的MAPbBr3溶液；将步骤1所得CsPbBr3单晶放入MAPbBr3溶液底部，并使其下表面紧贴容器底部，然后置于90-95℃的热台上，等待MAPbBr3单晶在CsPbBr3单晶的上表面及四周逐渐析出，即获得CsPbBr3/MAPbBr3单晶异质结；
步骤3、制备光电探测器
在未生长MAPbBr3单晶的CsPbBr3单晶的下表面以及生长在CsPbBr3单晶上表面的MAPbBr3单晶上分别利用碳浆制作碳电极并充分干燥，即获得窄带光电探测器。
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