[发明专利]一种n型GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种n型GaAs欧姆接触电极材料，其特征在于，以n型GaAs为基片，在n型GaAs基片上采用掩膜法设置两个电极区，在两个电极区先溅射有AuGeNi合金层，再在AuGeNi合金层上溅射有Au层，形成两个相对应的AuGeNi/Au电极。

2.根据权利要求1所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料，其特征在于：所述AuGeNi合金层厚度为50~70 nm，所述Au层厚度为100~120 nm。

3.制备如权利要求1所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：在n型GaAs基片上采用掩膜法设置两个电极区，采用离子溅射法，在两个电极区先溅射AuGeNi合金，再溅射Au，构成两个相对应的AuGeNi/Au电极结构；最后高温退火，得到n型GaAs的稳定欧姆接触的电极。

4.根据权利要求3所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料的制备方法，其特征在于：所述AuGeNi合金组分为：Au 88wt%，Ge 12wt%，+Ni 5wt%；所述金Au纯度99.99%。

5.根据权利要求3所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料的制备方法，其特征在于：溅射AuGeNi合金时，AuGeNi合金靶与基片距离为5 cm，打开机械泵，将腔内真空抽至2Pa，冲入空气调整腔内气压到6 Pa即可开始溅射，溅射过程通过微调气压使电流保持5 mA。

6.根据权利要求3所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料的制备方法，其特征在于：溅射Au时，Au靶与基片距离为7 cm，打开机械泵，将腔内真空抽至2Pa，冲入空气调整腔内气压到6 Pa，即可开始溅射，溅射过程通过微调气压使电流保持5 mA。

7.根据权利要求3所述的一种n型GaAs欧姆接触电极材料的制备方法，其特征在于：高温退火时，将镀电极后的基片移至管式退火炉，在氩气氛围中退火处理，退火温度为400℃~450℃，时间为8~10小时。