[发明专利]OPC修正中通孔层断线热点评估方法

说明书

本发明公开了一种对通孔层图形进行分类，对不同类型的图形采用不同的预设规则来识别断线热点。现有技术相比，本发明通过对通孔层图形进行分类，并设定不同的预设规则来识别断线热点，降低了漏识别的风险，提高了修复的效率和针对性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种OPC修正中通孔层断线热点评估方法。

背景技术

随着集成电路进入亚波长技术节点，设计规则越来越复杂，分辨率增强技术迎来越来越大的挑战，光刻工艺热点图形复杂多样，良率的提升对各工艺模块提出越来越高的要求。对于光学临近修正(OPC)工程师来讲，最大化提高工艺窗口(process window，PW)，并能准确预测和预防热点图形成为其重要价值体现。其中，断线(pinch)和桥连(bridge)是最常见的热点问题。不同类型的孔层其断线的检查方法不同，其highlight的方式直接影响后续修正的方式。通孔层(via)的断线检查，是热点检查中重要的一项。对于某些图形，例如矩形，抓取最大值存在漏抓的风险，抓取最小值存在误报的可能，对结果的过滤存在困扰。

发明内容

为提高断线热点评估的准确性，本发明提供一种OPC修正中通孔层断线热点评估方法，对通孔层图形进行分类，对不同类型的图形采用不同的预设规则来识别断线热点。

优选地，把所述通孔层图形分为三个类型；若所述通孔层图形的长宽比大于4，所述通孔层图形定义为第一类型图形；若所述通孔层图形的长宽比小于2，所述通孔层图形定义为第二类型图形；若所述通孔层图形的长宽比为2至4，所述通孔层图形定义为第三类型图形。

优选地，对所述第一类型图形，采用第一预设规则来抓取断线热点；对所述第二类型图形，采用第二预设规则来抓取断线热点；对所述第三类型图形，采用第三预设规则来抓取断线热点。

优选地，所述第一预设规则为抓取第一类型图形的最小值，根据所述最小值来识别断线热点。

优选地，所述第二预设规则为抓取第二类型图形的最大值，根据所述最大值来识别断线热点。

优选地，所述第三预设规则为截断第三类型图形的两端，抓取第三类型图形的中间段的最小值，根据所述最小值来识别断线热点。

优选地，所述第二预设规则为分别抓取第二类图形在水平方向的第一最大值和垂直方向的第二最大值，根据所述第一最大值和/或所述第二最大值来识别断线热点。

优选地，对所述第二类图形，根据水平方向的第一最大值和垂直方向的第二最大值分别对掩膜进行修正移动。

与现有技术相比，本发明通过对通孔层图形进行分类，并设定不同的预设规则来识别断线热点，降低了漏识别的风险，提高了修复的效率和针对性。

附图说明

图1为实施例1中第一类型图形的识别断线热点示意图；

图2为实施例1中第二类型图形的识别断线热点示意图；

图3为实施例1中第三类型图形的识别断线热点示意图；

图4为实施例2中第二类型图形的识别断线热点示意图。

实施例1

如图1至图3所示通孔层图形有多种类型，如图1所示的线图形，如图2所示的方形的孔层，如图3所示的矩形的孔层。

本实施例提供的一种OPC修正中通孔层断线热点评估方法，对通孔层图形进行分类，对不同类型的图形采用不同的预设规则来识别断线热点。

把所述通孔层图形分为三个类型；

若所述通孔层图形的长宽比大于4，所述通孔层图形定义为第一类型图形；第一类型图形为线图形，简称为1D图形，如图1所示。