[发明专利]一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制器在审
申请号: | 202111412526.7 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114167628A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 钟山;刘康琦;康松柏;赵峰;罗华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 |
主分类号: | G02F1/11 | 分类号: | G02F1/11;H04B10/079 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人: | 李鹏 |
地址: | 430071 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成度 多功能 双通道 aom 驱动 控制器 | ||
1.一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制器,包括FPGA控制器,其特征在于,FPGA控制器分别连接双通道DDS、USB芯片、以及两路ADC芯片,双通道DDS的两路输出通过两个带通滤波器分别连接双通道功率放大模块对应的两个输入端,双通道功率放大模块的两个输出端分别连接两个AOM负载。
2.根据权利要求1所述的一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制器,其特征在于,还包括电源模块,电源模块通过24V电源适配器供电,并分别产生FPGA控制器使用的1.2V电压和3.3V电压、双通道DDS使用的1.8V数字电压和1.8V模拟电压,以及ADC芯片使用的正负15V和正5V模拟电压。
3.根据权利要求1所述的一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制器,其特征在于,还包括用于触发控制双通道DDS的两路输出的开启与关断的两路TTL电平信号。
4.一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制方法,利用权利要求1所述的一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制器,其特征在于,包括定频点射频信号输出步骤:
上位机发出设置频率指令和设置功率指令到FPGA控制器,FPGA控制器接收设置频率指令和设置功率指令后,并读取设置频率指令和设置功率指令中的频率参数和功率参数,而后FPGA控制器通过与双通道DDS相连的SPI总线将频率参数和功率参数分别按对应的寄存器地址写入双通道DDS的射频通道选择寄存器、射频输出的频率寄存器和幅度寄存器,写入完成后FPGA控制器向双通道DDS发送更新信号。
5.根据权利要求4所述的一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制方法,其特征在于,所述的双通道DDS输出的两个通道的射频信号通过上位机指令控制选择软件开关模式或外部开关模式:
软件开关模式下,上位机发送开关控制指令控制双通道DDS的两个通道的射频信号开关,当开关控制指令为开时,FPGA控制器选择双通道DDS中对应的幅度寄存器,并将设定幅值写入对应的幅度寄存器;当开关控制指令为关时,FPGA控制器选择双通道DDS中对应的幅度寄存器,并将0值写入对应的幅度寄存器;
外部开关模式下,FPGA控制器读取外部TTL信号电平,当外部TTL信号为高电平时,FPGA控制器选择双通道DDS中对应的幅度寄存器,并将设定幅值写入对应的幅度寄存器;而当TTL信号为低电平或无外部TTL控制信号时,FPGA控制器选择双通道DDS中对应的幅度寄存器,并将0值写入对应的幅度寄存器。
6.根据权利要求4所述的一种高集成度多功能双通道AOM驱动控制方法,其特征在于,还包括功率稳定步骤:
上位机软件发送功率反馈控制指令到FPGA控制器后,FPGA控制器接收功率反馈控制指令并切换为功率控制模式,在功率控制模式下,上位机软件发送稳定参考电压、PID反馈参数到FPGA控制器,FPGA控制器接收稳定参考电压、PID反馈参数等指令后,将稳定参考电压和PID反馈参数分别写入FPGA控制器内的PID模块中,
当光电探测器采集的光强信号进行电压转化后,由ADC芯片采集获得的电压值Vin不低于设定阈值时,PID模块正常工作,PID模块根据稳定参考电压、采集获得的电压值Vin、以及PID反馈参数,运算输出PID运算结果,PID模块输出的PID运算结果由FPGA控制器通过与双通道DDS相连接的SPI总线将其按对应的寄存器地址写入双通道DDS对应通道的幅度寄存器,写入完成后FPGA控制器向双通道DDS发送更新信号,完成射频功率的反馈控制,
当光电探测器采集的光强信号进行电压转化后,由ADC芯片采集获得的电压值Vin低于设定阈值时,PID模块自动停止工作,FPGA控制器重新读取功率稳定模式启动前由上位机发送的射频信号功率设定参数,并将射频信号功率设定参数通过与双通道DDS相连接的SPI总线写入对应通道的幅度寄存器,写入完成后FPGA控制器向双通道DDS发送更新信号,之后上位机软件再发送功率反馈控制指令到FPGA控制器,FPGA控制器接收功率反馈控制指令并切换为功率控制模式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院精密测量科学与技术创新研究院,未经中国科学院精密测量科学与技术创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111412526.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。