[发明专利]一种磁存储器及数据选通销毁方法

说明书

本发明公开了一种磁存储器及数据选通销毁方法，涉及磁存储领域，所述磁存储器包括：至少一个销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结；所述至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态的方式，销毁磁隧道结对应的数据。至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。可见，本发明的实施例提供了一种磁存储器及数据销毁方法，通过对磁存储器设置的磁隧道结下方加入销毁层或销毁线，通过销毁层或销毁线设置的销毁装置产生的场效应，至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态或者对任一磁隧道结对应的连接电路进行熔断的方式，销毁磁隧道结对应的数据。

技术领域

本发明实施例涉及磁存储领域，具体涉及一种磁存储器及其数据销毁方法。

背景技术

基于磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)的磁性随机存储器(MagneticRandom Access Memory，MRAM)具有快速读写、非易失性等优良特性而有望成为下一代通用存储器。

在对MRAM实际应用中发现，由于MRAM的非易失性，使其在断电后仍继续存储断电前所存储的数据，导致存在数据被他人窃取的风险。基于此，目前通常采用对MRAM进行物理破坏的方式销毁该MRAM中依然存储的数据。然而，在MRAM破坏不完全时，MRAM中的数据可能未销毁，从而仍存在被读取的风险，并且物理破坏的方式仅可实现数据的全部销毁，无法实现对部分存储数据的销毁。

发明内容

本发明实施例提供一种磁存储器及其数据选通销毁方法，以改善MRAM自身存储数据物理销毁不完全的问题。

为了解决上述问题，本发明的第一方面提出了一种磁存储器，所述存储器包括：

至少一个销毁层，设置于每个相应销毁层之上或之下的磁隧道结；

所述至少一个销毁层中的任一销毁层通过场效应更改相应磁隧道结阻态的方式，销毁所述磁隧道结对应的数据，未响应所述销毁指令的磁隧道结不进行销毁作业。

在一些实施例中，所述磁存储器还包括至少一个连接电路，所述至少一个连接电路用于一一为每个磁隧道结通电；

针对任一磁隧道结，所述磁隧道结对应的连接电路响应该磁隧道结相应销毁层的场效应熔断，以更改所述磁隧道结阻态。

在一些实施例中，每个所述磁隧道结包括自由层和势垒层，

针对任一磁隧道结，所述磁隧道结的自由层响应该磁隧道结相应销毁层的场效应更改磁矩方向，和/或，所述磁隧道结的势垒层响应该磁隧道结相应销毁层的场效应失去隔离作用，以更改所述磁隧道结阻态；

对应任一磁隧道结，对所述磁隧道结或所述读取电路破坏的方式，包括：

熔断所述读取电路，以使所述磁隧道结阻态为0或无穷大，或者，改变所述自由层磁矩方向。

在一些实施例中，针对所述至少一个销毁层中的任一销毁层，所述销毁层设置有销毁装置，所述销毁装置用于接收销毁指令，以及响应于所述销毁指令对所述销毁层相应的磁隧道结或该磁隧道结对应的读取电路施加场效应，来更改该磁隧道结的阻态，以销毁所述磁隧道结对应的数据。

在一些实施例中，所述场效应包括以下至少一种：光场、磁场、电场以及热场。

在一些实施例中，所述磁隧道结还包括自由层，所述场效应主要通过改变所述自由层磁矩方向，实现对所述磁隧道结阻态的改变。

在一些实施例中，所述擦写装置包括以下至少一种：光场发生器、磁场发生器、电场发生器以及热场发生器。

在一些实施例中，所述至少一个销毁层中的任一销毁层实现为通过线圈连接的销毁装置，所述线圈用于接收所述销毁指令。