[发明专利]MoX2 在审
| 申请号： | 202111406267.7 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114122194A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王爽;于广辉;张燕辉;陈志蓥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C23C16/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mox base sub | ||
1.一种MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
配置钼酸钠与钨酸钠的混合溶液；
在所述混合溶液中加入碱性物质，调整所述混合溶液呈弱碱性，以配置前驱体溶液；
提供衬底，将所述前驱体溶液涂覆于所述衬底的表面，构成待反应结构；
采用CVD法，将所述待反应结构及X粉体置于炉管中，通入惰性气体，进行加热；
排出炉管中的惰性气体，引入X蒸汽，进行反应；
降温处理，获得MoX2/WX2横向异质结，其中，X元素为Se元素或S元素。
2.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述钼酸钠包括二水合钼酸钠及无水钼酸钠中的一种或组合；所述钨酸钠包括仲钨酸钠、无水钨酸钠及二水合钨酸钠中的一种或组合。
3.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述钨酸钠与所述钼酸钠的质量比为30:1-5:1中的任一质量比。
4.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述混合溶液的浓度为2mg·ml-1-10mg·ml-1中的任一浓度。
5.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述碱性物质包括碳酸钠、氨水及氢氧化钠中的一种或组合；加入所述碱性物质后，所述混合溶液的PH调整为8-12中任一PH值。
6.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述CVD法包括PECVD法或MOCVD法。
7.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：所述衬底为亲水性衬底；所述衬底包括硅衬底或蓝宝石衬底；所述硅衬底包括Si/SiO2复合硅衬底；所述蓝宝石衬底包括A面、C面、R面及M面蓝宝石衬底中的任一种。
8.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：采用CVD法，将所述待反应结构及X粉体置于炉管中，通入惰性气体，进行加热的步骤包括：
将所述X粉体置于炉管的上游，将所述待反应结构置于所述炉管的下游；
向所述炉管中通入惰性气体；
对所述待反应结构进行加热至700℃-900℃中任一温度，保持1min-10min，并对所述X粉体进行加热至180℃-300℃。
9.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：引入所述X蒸汽后的反应时间为2min-20min中任一时间。
10.根据权利要求1所述的MoX2/WX2横向异质结的制备方法，其特征在于：制备的所述MoX2/WX2横向异质结包括单层横向异质结或层数N≥2的横向异质结。
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