[发明专利]基于TiS3

权利要求书

1.一种基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，包括上DBR、下DBR以及设置于上DBR和下DBR之间的有源层，

所述有源层采用TiS₃，

所述上DBR和下DBR之间的微腔的厚度为1.74 μm ~2.44 μm，

激光器的发光波长λ=1260~1360nm，

所述上DBR和下DBR为SiO₂/TiO₂材料交替组成，或所述上DBR和下DBR为SiO₂/Si₃N₄材料交替组成。

2.如权利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和有源层之间设置有上包覆层，

所述上包覆层的厚度为3λ/2n₁，n₁为上包覆层的折射率；和/或

所述下DBR和有源层之间设置有下包覆层，

所述下包覆层的厚度为λ/2n₂，n₂为下包覆层的折射率。

3.如权利要求2所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上包覆层和下包覆层的折射率小于有源层的折射率。

4.如权利要求3所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上包覆层和下包覆层的材质为SiO₂或MgF₂。

5.如权利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR为SiO₂/TiO₂材料交替组成时，

所述上DBR和下DBR的每个周期中，SiO₂材料层的厚度为235nm，TiO₂材料层的厚度为138nm，

所述上DBR和下DBR的周期数分别为6和5，

所述上DBR和下DBR之间的微腔的厚度为1.74 μm~2.38 μm 。

6.如权利要求1所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR为SiO₂/Si₃N₄材料交替组成时，

所述上DBR和下DBR的每个周期中，SiO₂材料层的厚度为243nm，Si₃N₄材料层的厚度为178nm，

所述上DBR和下DBR的周期数分别为9和8，

所述上DBR和下DBR之间的微腔的厚度为1.80 μm ~2.44 μm 。

7.一种如权利要求1至6任一所述的基于TiS₃的垂直腔面激光器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上依次制作下DBR和下包覆层；

制作TiS₃材料层，并将其转移至下包覆层上；

在TiS₃材料层上，依次制作上包覆层和上DBR。

8.根据权利要求7所述的TiS₃的垂直腔面激光器的制作方法，其特征在于，所述TiS₃材料层利用化学气相输运法生长得到。