[发明专利]存储器的刷新方法、装置、计算机设备和存储介质在审
| 申请号: | 202111389605.0 | 申请日: | 2021-11-22 |
| 公开(公告)号: | CN114333940A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 强鹏 | 申请(专利权)人: | 腾讯科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406;G11C11/4093 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐彩琴 |
| 地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 刷新 方法 装置 计算机 设备 存储 介质 | ||
本申请涉及一种存储器的刷新方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法可应用于云技术和车载终端的应用场景,包括:确定待读写数据的数据量和存储器中用于存储待读写数据的数据存储区;若待读写数据的数据量大于第一阈值,对数据存储区进行预刷新;在预刷新后的数据存储区中,对待读写数据分批进行读写处理;在读写处理的过程中,当达到预设刷新时间时,对数据存储区进行刷新;预设刷新时间包括至少一个刷新周期;若在当前刷新周期内对待读写数据进行读写处理后的剩余数量小于或等于第二阈值,继续对剩余数量的待读写数据进行读写处理;在完成读写处理后,对数据存储区进行刷新。采用本方法能够有效提高存储器读写效率。
技术领域
本申请涉及人工智能技术领域,特别是涉及一种存储器的刷新方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)是一种高速高带宽的新型内存存储器,主要应用于人工智能芯片的领域。由于HBM是基于DRAM的实现方式的存储器,在使用过程中需要周期性的进行刷新,从而保证HBM中存储数据不会丢失或损坏。
在传统的刷新方案中,通常是按照tREFI(即平均刷新时间间隔)周期性地对整个HBM进行刷新,数据读写任务将会被频繁的打断,数据读写效率将会大幅度降低。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种能够有效提高存储器读写效率的存储器的刷新方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种存储器的刷新方法,所述方法包括:
在获取到数据读写请求时,确定待读写数据的数据量和存储器中用于存储所述待读写数据的数据存储区;
若所述待读写数据的数据量大于第一阈值,对所述数据存储区进行预刷新;
在预刷新后的所述数据存储区中,对所述待读写数据分批进行读写处理;
在读写处理的过程中,当达到预设刷新时间时,对所述数据存储区进行刷新;所述预设刷新时间包括至少一个刷新周期;
若在当前所述刷新周期内对所述待读写数据进行读写处理后的剩余数量小于或等于第二阈值,继续对所述剩余数量的待读写数据进行读写处理;
在完成读写处理后,对所述数据存储区进行刷新。
一种存储器的刷新装置,所述装置包括:
确定模块,用于在获取到数据读写请求时,确定待读写数据的数据量和存储器中用于存储所述待读写数据的数据存储区;
第一刷新模块,用于若所述待读写数据的数据量大于第一阈值,对所述数据存储区进行预刷新;
第一处理模块,用于在预刷新后的所述数据存储区中,对所述待读写数据分批进行读写处理;
第二刷新模块,用于在读写处理的过程中,当达到预设刷新时间时,对所述数据存储区进行刷新;所述预设刷新时间包括至少一个刷新周期;
第二处理模块,用于若在当前所述刷新周期内对所述待读写数据进行读写处理后的剩余数量小于或等于第二阈值,继续对所述剩余数量的待读写数据进行读写处理;
第三刷新模块,用于在完成读写处理后,对所述数据存储区进行刷新。
在其中的一个实施例中,所述第一刷新模块,还用于若所述待读写数据的数据量大于第一阈值,依据所述第一阈值确定预刷新指令数;生成所述预刷新指令数的预刷新指令;基于所述预刷新指令对所述数据存储区进行预刷新。
在其中的一个实施例中,所述确定模块,还用于基于所述预刷新指令的指令数,确定预设刷新时间;根据所述第一阈值、所述预设刷新时间和读写处理时的读写速率,确定第二阈值。
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