[发明专利]纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件

说明书

本申请公开了一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，该纳米材料通过将金属氢氧化物层包覆在所述纳米金属氧化物表面，以此来钝化纳米金属氧化物表面的缺陷，减少表面缺陷对于电子的捕获，将该纳米材料作为电致发光器件的电子传输层时，可以改善发光层的猝灭效应，从而提高器件的稳定性。此外，该金属氢氧化物层还可以抑制纳米金属氧化物的生长，防止纳米材料的团聚，增强纳米材料的稳定性。

技术领域

本申请涉及材料领域，具体涉及一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件。

背景技术

电致发光又称电场发光，是通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子在能级间的跃迁、变化、复合导致发光的一种物理现象。

QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode，量子点发光二极管)是一种新兴的电致发光器件，由阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EmL)、电子传输层(ETL)和阴极(Cathode)组成，电子和空穴可分别从阴极和阳极注入，最后在发光层复合形成激子发光。

但是，以QLED为代表的电致发光器件在研发过程中依旧存在着很多问题，例如发光层激子猝灭的问题，会影响到器件的稳定性。

发明内容

本申请实施例提供一种纳米材料、纳米材料的制备方法及电致发光器件，旨在减少纳米材料表面的缺陷对于电子的捕获。

第一方面，本申请提供一种纳米材料，所述纳米材料包括纳米金属氧化物，所述纳米金属氧化物表面包覆有金属氢氧化物层。

可选的，在所述金属氢氧化物层中，所述金属氢氧化物选自Al(OH)₃、LiOH或Mg(OH)₂中的至少一种。

可选的，所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒，和/或，掺杂Al的ZnO纳米颗粒。

可选的，所述金属氢氧化物层的厚度为0.5nm-1.5nm。

可选的，所述纳米材料由表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物构成，和/或，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒，所述金属氢氧化物选自Al(OH)₃。

第二方面，本申请还提供一种纳米材料的制备方法，所述方法包括：

将纳米金属氧化物、金属盐以及碱溶液混合，得到表面包覆有金属氢氧化物层的纳米金属氧化物。

可选的，在所述碱溶液中，所述碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂中的至少一种；和/或，

所述金属盐选自Al盐、Li盐或Mg盐；和/或，

所述纳米金属氧化物选自ZnO纳米颗粒或掺Al的ZnO纳米颗粒中的至少一种；和/或，所述纳米金属氧化物的浓度为0.5mg/mL至2mg/mL。

可选的，所述金属盐选自氯化铝、硫酸铝或乙酸铝，所述纳米金属氧化物选自掺Al的ZnO纳米颗粒。

第三方面本申请还提供一种电致发光器件，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和阳极之间的电子传输层和发光层，所述发光层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括第一方面所述的纳米材料，或者包括由第二方面所述的方法制成的纳米材料。

可选的，所述阳极选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯、纳米碳管中的一种或多种；和/或，

所述发光层的材料选自无铬量子点，所述无铬量子点的核选自InP、InGaP、InZnP中的至少一种；所述无铬量子点的壳材料包括GaP、ZnSe、ZnSeS和ZnS等中的一种或多种；和/或，

所述阴极选自Al、Ca、Ba、Ag中的一种或多种。