[发明专利]超薄型反符合快中子探测结构及获取中子能谱的方法

权利要求书

1.一种超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，包括八个半导体探测器单元和采用含氢材料制作而成的转化层，转化层设于所述第五半导体探测器单元与所述第六半导体探测器单元之间；每个探测器单元包含至少一个半导体探测器，第一半导体探测器单元、第二半导体探测器单元、第三半导体探测器单元、第四半导体探测器单元同轴平行依次顺序放置，组成第一套组件，第五半导体探测器单元、转化层、第六半导体探测器单元、第七半导体探测器单元、第八半导体探测器单元同轴平行依次顺序放置，组成第二套组件，第一套组件与第二套组件根据安装空间任意组合放置；所述第一半导体探测器单元、第四半导体探测器单元、第五半导体探测器单元及第八半导体探测器单元组成反符合探测器组，用于去除其所覆盖立体角范围内入射的带电粒子信号；所述第二半导体探测器单元和第三半导体探测器单元组成中性粒子本底探测器组，用于测量中性粒子在半导体探测器中所产生的中性粒子本底能谱，所述中性粒子包括中子和伽马射线；所述第六半导体探测器单元和第七半导体探测器单元组成反冲质子探测器组，用于测量反冲质子在半导体探测器中所产生的沉积能谱；

所述转化层中的氢原子核与入射的快中子发生碰撞产生所述反冲质子，所述反冲质子进入所述第六半导体探测器单元和所述第七半导体探测器单元，用于产生沉积能谱。

2.如权利要求1所述的超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，所述第一半导体探测器单元、所述第四半导体探测器单元、所述第五半导体探测器单元、所述第八半导体探测器单元组成第一组探测器，所述第二半导体探测器单元、所述第六半导体探测器单元组成第二组探测器，所述第三半导体探测器单元、所述第七半导体探测器单元组成第三组探测器，所述第一组探测器中各半导体探测器的面积大于第二组探测器中各半导体探测器的面积。

3.如权利要求2所述的超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，所述第二组探测器中，所述第二半导体探测器单元和所述第六半导体探测器单元的面积和厚度均相同。

4.如权利要求2所述的超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，所述第三组探测器中，所述第三半导体探测器单元和所述第七半导体探测器单元的面积和厚度均相同。

5.如权利要求2所述的超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，所述转化层的面积大于第二组探测器的面积。

6.如权利要求1所述的超薄型反符合快中子探测结构，其特征在于，在第二半导体探测器单元、第三半导体探测器单元、第六半导体探测器单元和第七半导体探测器单元周围均设设置一个环形探测器单元，每个环形探测器单元包含至少一个半导体探测器，第二半导体探测器单元周围的环形探测器单元内边缘紧挨第二半导体探测器单元边缘，第三半导体探测器单元周围的环形探测器单元内边缘紧挨第三半导体探测器单元边缘，第六半导体探测器单元周围的环形探测器单元内边缘紧挨第六半导体探测器单元边缘，第七半导体探测器单元周围的环形探测器单元内边缘紧挨第七半导体探测器单元边缘。