[发明专利]一种高压电平迁移电路

说明书

本发明公开了一种高压电平迁移电路，包括低压控制信号处理电路、使能控制电路、低压控制信号输出电路、电流镜偏置电路和电压迁移电路，所述低压控制信号处理电路的VCP端、使能控制电路的GND端、低压控制信号输出电路的VM端、电流镜偏置电路的偏置电流IB和电压迁移电路的S端接入电路。通过Cadence软件仿真得到电平迁移电路在数字控制电路产生逻辑控制信号“1”且使能端上电至高电平时，输出端Z的高电平电压从最初的0V迁移到45V。在应用于步进电机驱动芯片项目时，本方案在前仿真时能够实现输出端Z的电压由40V迁移至45V，同时避免了高压电压源引起的MOS管的超耐压问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种基于集成电路的高压电平迁移的设计。

背景技术

低压电压源控制高压电压源，由于集成电路工艺的发展，这类控制方式越来越困难，其中的MOS管、晶体管及二极管在耐压上也越为苛刻，这使得高压集成电路设计也更困难。电平迁移电路在集成电路设计中尤为常见。特别是步进电机驱动芯片的设计，为了能控制高电压下工作的步进电机且要避免器件的超耐压问题，普通的反相器结构并不能满足要求甚至会出现超耐压问题。因此，需要设计一种高压电平迁移电路，在满足低电压控制高电压的同时能够避免超耐压问题。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种高压电平迁移电路，实现了由低压电压源控制高压电压源，避免电路中出现超器件耐压的问题，实现0V电压迁移至45V。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高压电平迁移电路，包括低压控制信号处理电路、使能控制电路、低压控制信号输出电路、电流镜偏置电路和电压迁移电路，所述低压控制信号处理电路的VCP端、使能控制电路的GND端、低压控制信号输出电路的VM端、电流镜偏置电路的偏置电流IB和电压迁移电路的S端接入电路；

所述电压迁移电路包括第十五PMOS功率管M15、第十六PMOS功率管M16、第十七PMOS功率管M17、第十八NMOS功率管M18、端口S和第二肖特基二极管D2，所述第十五PMOS功率管M15和第十六PMOS功率管M16并联第十四PMOS功率管M14的漏极；所述第十五PMOS功率管M15的栅极和第十七PMOS功率管M17的栅极分别连接第十一PMOS功率管M11的栅极；所述第十六PMOS功率管M16的栅极连接第十二NMOS功率管M12的漏极；第二肖特基二极管D2和电阻R2并联，第二肖特基二极管D2的正极接电源S，负极接第十八NMOS功率管M18的栅极和第十六PMOS功率管M16的漏极，用于保护第十八NMOS功率管M18；所述第十七PMOS功率管M17的漏极和第十八NMOS功率管M18的漏极相连接，并连接输出端口Z；所述端口S连接第三肖特基二极管D3的正极，端口Z连接第三肖特基二极管D3的负极。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

通过Cadence软件仿真得到电平迁移电路在数字控制电路产生逻辑控制信号“1”且使能端上电至高电平时，输出端Z的高电平电压从最初的0V迁移到45V。在应用于步进电机驱动芯片项目时，本方案在前仿真时能够实现输出端Z的电压由40V迁移至45V，同时避免了高压电压源引起的MOS管的超耐压问题。

附图说明

图1为本发明的高压电平迁移电路图。

图2为本发明的H桥电路图。

1、低压控制信号处理电路；2、使能控制电路；3、低压控制信号输出电路；4、电流镜偏置电路；5、电压迁移电路。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。