[发明专利]一种双路冗余供电自切及恢复电路

权利要求书

1.一种双路冗余供电自切及恢复电路，其特征在于，该电路包括输入EMI滤波电路、理想二级管或门控制电路、“光MOS+磁保持”继电器控制电路、“P沟道MOS并联”切换主电路，输入EMI滤波电路的输出端与理想二级管或门控制电路的输入端连接，理想二级管或门控制电路的输出端其中一路与“P沟道MOS并联”切换主电路的输入端连接，另外一路与“P沟道MOS并联”切换主电路的输出端连接，“光MOS+磁保持”继电器控制电路的输入端与输入EMI滤波电路的输出端连接，“光MOS+磁保持”继电器控制电路的输出端与“P沟道MOS并联”切换主电路的输入端连接；

其中，

“光MOS+磁保持”继电器控制电路，包括：光MOS继电器JG1，磁保持继电器JB1，整流二极管D3，整流二级管D4，整流二极管D5，整流二极管D6，续流二极管D7，续流二极管D8，限流电阻R7，限流电阻R8，限流电阻R9，限流电阻R10，滤波电容C11，滤波电容C12；

“光MOS+磁保持”继电器控制电路中，输出高端Vd分别连接磁保持继电器JB1的触点K1-1端、磁保持继电器JB1的触点K2-1端，磁保持继电器JB1的触点K1-1端连接磁保持继电器JB1的触点K1-2端、信号地，磁保持继电器JB1的触点K2-1端连接磁保持继电器JB1的触点K2-2端、信号地，磁保持继电器JB1的触点K1-3、K2-3分别悬空；磁保持继电器JB1的线圈控制端1IN+分别连接限流电阻R7的一端、续流二极管D8的阴极，磁保持继电器JB1的线圈控制端2IN+分别连接限流电阻R8的一端、续流二极管D7的阴极，限流电阻R7的另一端分别连接整流二极管D3的阴极、整流二极管D4的阴极，限流电阻R8的另一端分别连接整流二极管D5的阴极、整流二极管D6的阴极，整流二极管D3的阳极连接整流二极管D5的阳极、输入Vb1端，整流二极管D4的阳极连接整流二极管D6的阳极、输入Vb2端，续流二极管D7的阳极连接磁保持继电器JB1的线圈控制端2IN-、光MOS继电器JG1的输出2OUT+端，续流二极管D8的阳极连接磁保持继电器JB1的线圈控制端1IN-、光MOS继电器JG1的输出1OUT+端；光MOS继电器JG1的输出1OUT-端连接光MOS继电器JG1的输出2OUT-端、信号地；限流电阻R9的一端连接控制信号Ctrl-ON+端，限流电阻R9的另一端连接滤波电容C11的一端、光MOS继电器JG1的输入控制端1IN+，滤波电容C11的另一端连接控制信号Ctrl-ON-端、光MOS继电器JG1的输入控制端1IN-，限流电阻R10的一端连接控制信号Ctrl-OFF+端，限流电阻R10的另一端连接滤波电容C12的一端、光MOS继电器JG1的输入控制端2IN+，滤波电容C12的另一端连接控制信号Ctrl-OFF-端、光MOS继电器JG1的输入控制端2IN-；

“P沟道MOS并联”切换主电路，包括P沟道场效应管S5，P沟道场效应管S6，P沟道场效应管S7，P沟道场效应管S8，稳压二极管D9，储能滤波电容C13，分压电阻R11，分压电阻R12，栅极驱动电阻R13，栅极驱动电阻R14，栅极驱动电阻R15，栅极驱动电阻R16；

“P沟道MOS并联”切换主电路中，输入高端Vc分别连接稳压二极管D9的阴极、分压电阻R11的一端、储能滤波电容C13的一端、P沟道场效应管S5的源极、P沟道场效应管S6的源极、P沟道场效应管S7的源极、P沟道场效应管S8的源极，稳压二极管D9的阳极分别连接分压电阻R11的另一端、分压电阻R12的一端、储能滤波电容C13的另一端、栅极驱动电阻R13的一端、栅极驱动电阻R14的一端、栅极驱动电阻R15的一端、栅极驱动电阻R16的一端，栅极驱动电阻R13的另一端连接P沟道场效应管S5的栅极，栅极驱动电阻R14的另一端连接P沟道场效应管S6的栅极，栅极驱动电阻R15的另一端连接P沟道场效应管S7的栅极，栅极驱动电阻R16的另一端连接P沟道场效应管S8的栅极，P沟道场效应管S5的漏极分别连接P沟道场效应管S6的漏极、P沟道场效应管S7的漏极、P沟道场效应管S8的漏极、输出高端Ve，分压电阻R12的另一端连接输入高端Vd。

2.如权利要求1所述的双路冗余供电自切及恢复电路，其特征在于，输入EMI滤波电路包括：共模电感L1，共模电感L3，差模电感L2，差模电感L4，差模电容C1，差模电容C2，差模电容C5，差模电容C6，共模电容C3，共模电容C4，共模电容C7和共模电容C8。