[发明专利]包含用于无空隙亚微米结构填充的添加剂的钴镀覆用组合物

权利要求书

1.组合物用于将钴电沉积在半导体基材上的用途，该基材包含具有开口尺寸小于100nm的凹陷结构，该组合物包含：

(a)钴离子，和

(b)式I添加剂：

其中

R¹选自X-Y；

R²选自R¹及R³；

X选自直链或支链C₁至C₁₀烷二基、直链或支链C₂至C₁₀烯二基、直链或支链C₂至C₁₀炔二基及(C₂H₃R⁶-O)_m；

Y选自OR³；

R³选自(i)H，(ii)C₅至C₂₀芳基，(iii)C₁至C₁₀烷基，(iv)C₆至C₂₀芳基烷基，(v)C₆至C₂₀烷基芳基，其可经OH、SO₃H、COOH或其组合取代，及(vi)(C₂H₃R⁶-O)_n-H；

m、n为独立地选自1至30的整数；

R⁶选自H及C₁至C₅烷基。

2.根据权利要求1的用途，其中X选自C₁至C₆烷二基。

3.根据权利要求2的用途，其中X选自甲烷二基。

4.根据权利要求2的用途，其中X选自1,1-乙烷二基或1,2-乙烷二基。

5.根据权利要求2的用途，其中X选自丙烷-1,1-二基、丁烷-1,1-二基、戊烷-1,1-二基、己烷-1,1-二基、丙烷-2-2-二基、丁烷-2,2-二基、戊烷-2,2-二基及己烷-2,2-二基，选自丙烷-1,2-二基、丁烷-1,2-二基、戊烷-1,2-二基、己烷-1,2-二基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、戊烷-1,3-二基及己烷-1,3-二基。

6.根据权利要求1至5中任一项的用途，其中R²为H。

7.根据权利要求1至5中任一项的用途，其中Y为OR³且R³为H。

8.根据权利要求1至6中任一项的用途，其中Y为OR³且R³选自式(C₂H₃R⁶-O)_n-H的聚氧亚烷基团。

9.根据权利要求1至5中任一项的用途，其基本上不含氯离子。

10.根据权利要求1至5中任一项的用途，其pH为2至4。