[发明专利]光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板有效
申请号: | 202111350222.2 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN114122090B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 陈建荣 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K59/123 | 分类号: | H10K59/123;H10K59/122;H10K59/121;H10K59/131;H10K71/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄锐 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻层 加工 方法 显示 面板 制作方法 以及 | ||
1.一种光阻层的加工方法,其特征在于,包括:
步骤B1、形成负性光阻层;
步骤B2、对所述负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理;
步骤B3、对所述负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理,所述第二曝光区域至少具有设于所述第一曝光区域的一侧且与所述第一曝光区域连接的部分,所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量;
步骤B4、对所述负性光阻层进行显影处理,去除未进行光反应的所述负性光阻层;
步骤B5、对剩余的所述负性光阻层进行加热固化处理,得到底切结构。
2.如权利要求1所述的光阻层的加工方法,其特征在于,所述第一曝光区域设于所述第二曝光区域内,所述第二曝光区域的面积大于所述第一曝光区域的面积。
3.如权利要求1所述的光阻层的加工方法,其特征在于,所述第一曝光区域和所述第二曝光区域部分重叠。
4.如权利要求1所述的光阻层的加工方法,其特征在于,所述第二曝光区域设于所述第一曝光区域的侧面,且所述第二曝光区域与所述第一曝光区域连接。
5.如权利要求1所述的光阻层的加工方法,其特征在于,所述第一次曝光处理的曝光时间大于所述第二次曝光处理的曝光时间。
6.如权利要求1~5任一项所述的光阻层的加工方法,其特征在于,在所述步骤B2中,还对所述负性光阻层的第三曝光区域进行第一次曝光处理,所述第一曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置,所述第二曝光区域和所述第三曝光区域间隔设置;
在所述步骤B5中,所述负性光阻层对应所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的部分形成所述底切结构,所述负性光阻层对应所述第三曝光区域的部分形成凸台结构。
7.如权利要求6所述的光阻层的加工方法,其特征在于,所述底切结构具有负坡度角,所述凸台结构具有正坡度角。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤B10、在基板上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层为负性光阻层,所述基板设有间隔设置的辅助电极和第一电极,所述第一像素定义层设有堤坝区域、开口区域、过孔区域以及第一底切区域,所述堤坝区域围合形成所述开口区域,所述堤坝区域和所述第一底切区域围合形成所述过孔区域,所述过孔区域对应所述辅助电极设置,所述开口区域对应所述第一电极设置;
步骤B20、对所述第一像素定义层的所述堤坝区域和所述第一底切区域进行第一次曝光处理;
步骤B30、对所述第一像素定义层的第二底切区域进行第二次曝光处理,所述第二底切区域的一侧延伸至所述第一底切区域,所述第二底切区域的另一侧连接于所述过孔区域,所述第一次曝光处理的曝光量大于所述第二次曝光处理的曝光量;
步骤B40、对所述第一像素定义层进行显影处理,去除所述开口区域和所述过孔区域的所述第一像素定义层,形成露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的搭接过孔;
步骤B50、对剩余的所述第一像素定义层进行加热固化处理,对应所述第一底切区域和所述第二底切区域的所述第一像素定义层形成底切结构,对应所述堤坝区域的所述第一像素定义层形成堤坝,所述堤坝围合形成用于露出所述第一电极的像素开口,所述堤坝和所述底切结构围合形成用于露出所述辅助电极的搭接过孔;
步骤B60、在所述第一电极上形成发光层;
步骤B70、在所述发光层上形成第二电极,所述第二电极延伸至所述搭接过孔内并与所述辅助电极连接。
9.如权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一底切区域设于所述第二底切区域内,所述第二底切区域的面积大于所述第一底切区域的面积。
10.如权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一底切区域和所述第二底切区域部分重叠。
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