[发明专利]一种硅片中铁元素含量的测定方法以及测定装置

权利要求书

1.一种硅片中铁元素含量的测定方法，其特征在于，所述测定方法包括：

检测待测硅片的第一少子寿命τ₀，对待测硅片进行光照后，检测待测硅片的第二少子寿命τ，计算后得到铁元素含量N_Fe；

其中，少子寿命的检测方式为准稳态光电导。

2.根据权利要求1所述的测定方法，其特征在于，所述硅片经过钝化处理。

3.根据权利要求1或2所述的测定方法，其特征在于，测试所述第一少子寿命和第二少子寿命时，准稳态光电导的载流子注入量在1.0×10¹⁴/cm³至1.0×10¹⁷/cm³之间，进一步优选为1.0×10¹⁵/cm³至1.0×10¹⁶/cm³之间；

优选地，测试所述第一少子寿命和第二少子寿命时，准稳态光电导的载流子注入量相同。

4.根据权利要求1-3任一项所述的测定方法，其特征在于，所述光照的强度≥0.2sun；

优选地，所述光照的波长为600～1100nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的测定方法，其特征在于，所述光照的时间≥10s。

6.根据权利要求1-5任一项所述的测定方法，其特征在于，所述光照的光源包括自然光源和/或人工光源。

7.根据权利要求1-6任一项所述的测定方法，其特征在于，所述光照后测试第二少子寿命的时间间隔≤60s。

8.根据权利要求1-7任一项所述的测定方法，其特征在于，所述铁元素含量的计算方法包括：

其中，C为3.3×10¹³～3.5×10¹³μs/cm³，优选为3.4×10¹³μs/cm³。

9.根据权利要求1-8任一项所述的测定方法，其特征在于，所述测定方法具体包括以下步骤：

在载流子注入量1.0×10¹⁴/cm³至1.0×10¹⁷/cm³之间，利用准稳态光电导检测待测硅片的第一少子寿命τ₀；

将待测硅片在强度≥0.2sun，波长为600～1100nm下进行光照，光照的时间≥10s；

在载流子注入量≥1.0×10¹⁵/cm³，利用准稳态光电导检测待测硅片的第二少子寿命τ，计算得到铁元素含量N_Fe，光照后进行第二少子寿命检测的时间间隔≤60s；

其中，C为3.3×10¹³～3.5×10¹³μs/cm³。

10.一种硅片中铁元素含量的测试装置，其特征在于，权利要求1-9任一项所述的硅片中铁元素含量的测定方法采用所述的测试装置，所述测试装置包括：

检测模块，利用准稳态光电导检测待测硅片的第一少子寿命和第二少子寿命；

光照模块，用于对硅片进行光照；

计算模块，用于计算待测硅片的铁元素含量。