[发明专利]一种太阳能单多晶硅片清洗液及其制备方法

说明书

本发明涉及化工技术领域，尤其涉及一种太阳能单多晶硅片清洗液及其制备方法。所述清洗液由强碱、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂、直链全氟烷基磺酰氟、螯合剂、水组成。本发明清洗剂为淡黄色液体，弱碱性，具有良好的去污、清洗性能，能有效降低清洗后硅片的黑边率、氧化率以及脏片率，硅片外观优良，极大程度地提升了硅片的合格率。本发明通过全氟己基磺酰氟，使产品在光电转换效率上有显著的增益。

技术领域

本发明涉及化工技术领域，尤其涉及一种太阳能单多晶硅片清洗液及其制备方法。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展，集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，对硅衬底表面洁净度的要求也比较严格，硅片清洗在半导体工业的重要性早引起人们的高度重视，超大规模集成电路工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于500个/m²×0.12μm，金属污染物小于1010atom/cm²，硅衬底表面的污染物将会严重影响硅衬底的物理性质和电学性质，并最终影响到集成电路的成品率，硅片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可能导致缺陷的产生和器件的失败，在超大规模集成电路的制造工艺中，硅片的表面状态是以后集成电路平整度保证的基础，如果清洗效果不好会直接影响器件的成品率、性能和可靠性。

基于上述情况，本发明提出了一种太阳能单多晶硅片清洗液及其制备方法，可有效解决以上问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能单多晶硅片清洗液及其制备方法。

为实现上述目的，本发明提供了一种太阳能单多晶硅片清洗液，所述清洗液由以下重量份的原料组成：强碱2～6％、阴离子表面活性剂2～6％、非离子表面活性剂1～3％、直链全氟烷基磺酰氟2～4％、螯合剂1～2％，余量为水。

优选地，所述强碱为氢氧化钠或氢氧化钾。

优选地，所述阴离子表面活性剂包括N酰基氨基酸盐、C10～C16脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、阴离子聚丙烯酰胺中的任意一种或两种以上的组合。

优选地，所述阴离子表面活性剂为C10～C16脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠。

优选地，所述阴离子表面活性剂为十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠。

优选地，所述非离子表面活性剂包括聚氧乙烯烷基醇酰胺，聚氧乙烯烷基胺，脂肪酸聚氧乙烯酯，烷基酚聚氧乙烯醚，C10～C16脂肪醇聚氧乙烯醚，聚氧丙烯聚氧乙烯共聚物，烷醇酰胺中的任意一种或两种以上的组合。

优选地，所述非离子表面活性剂为C10～C16脂肪醇聚氧乙烯醚。

优选地，所述非离子表面活性剂为十六烷基醇聚氧乙烯醚。

优选地，所述直链全氟烷基磺酰氟包括全氟己基磺酰氟、全氟丁基磺酰氟、全氟辛基磺酰氟、全氟癸基磺酰氟的其中一种或两种以上的组合。

优选地，所述螯合剂为有机酸及其盐中的至少一种。

优选地，所述螯合剂为乙二胺四乙酸。

本发明还提供一种太阳能单多晶硅片清洗液的制备方法，所述方法包括如下步骤：

(1)将强碱、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂溶解于配方量一半的去离子水中，于室温下以200～300rpm搅拌10～15min，得到混合溶液一；

(2)将直链全氟烷基磺酰氟、螯合剂溶解于剩余配方量的去离子水中，于室温下以400～550rpm搅拌15～20min，得到混合溶液二；

(3)将混合溶液一和混合溶液二于室温下以500～600rpm搅拌10～15min，即得。

优选地，所述方法包括如下步骤：