[发明专利]含硫芴类二苯胺、巯基芴芳胺及其制备方法和应用在审

申请号：	202111340919.1	申请日：	2021-11-12
公开（公告）号：	CN114181127A	公开（公告）日：	2022-03-15
发明（设计）人：	易陈谊;周俊杰;谭理国;李明昊;刘越;张宇;蒋超凡;李航	申请（专利权）人：	清华大学
主分类号：	C07C323/38	分类号：	C07C323/38;C07C319/20;C07C319/14;C07C323/09;C07D311/96;H01L51/42;H01L51/46
代理公司：	北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201	代理人：	孙诗惠
地址：	10008***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	含硫芴类二苯胺巯基芴芳胺及其制备方法应用
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种含硫芴类二苯胺，其特征在于，具有如式(1)所示通式，

其中，R¹选自C_1-16烷基，R²选自C_1-16烷基、乙烯基或丙烯基；

R³选自对甲氧基苯基或

2.一种权利要求1所述的含硫芴类二苯胺的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、将卤代芴与R¹-S-S-R¹在惰性氛围下进行巯基化反应，得到巯基取代芴；

b、将制得的巯基取代芴与R³-NH₂在惰性氛围下进行Buchwald-Hartwig偶联反应，得到含硫芴类二苯胺；

其中，卤代芴的通式如式(2)所示，

巯基取代芴的通式如式(3)所示，

式(2)和式(3)中，X为卤素。

3.权利要求2所述的含硫芴类二苯胺的制备方法，其特征在于，所述步骤a中，所述卤代芴与R¹-S-S-R¹的当量比1：(1-1.5)，反应中采用的催化剂为叔丁基锂，反应温度为≤-50℃；和/或，所述步骤b中，所述巯基取代芴与R³-NH₂的当量比(1-1.5)，反应中采用的催化剂选自Pd2(dba)3和/或X-phos，反应温度为70-90℃，反应时间为8-24h；和/或，所述步骤b中，反应中加入叔丁醇钠。

4.一种巯基芴芳胺，其特征在于，包括支链基团和核心基团；

所述支链基团的结构如式(4)所示

其中，R¹选自C_1-16烷基，R²选自C_1-16烷基、乙烯基或丙烯基，R³选自对甲氧基苯基或

所述核心基团选自芴类基团、联苯类基团或含杂原子的芳香环类基团中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的巯基芴芳胺，其特征在于，所述芴类基团选自下述结构中的基团：

所述联苯类基团选自下述结构中的基团：

所述含杂原子的芳香环类基团选自下述结构中的基团：

6.一种权利要求4或5所述的巯基芴芳胺的制备方法，其特征在于，包括：将支链基团供体与核心基团供体在惰性氛围下进行Buchwald-Hartwig偶联反应，制得巯基芴芳胺，其中，所述支链基团供体为权利要求1中所述的含硫芴类二苯胺或权利要求2或3中所述的方法制得的含硫芴类二苯胺。

7.根据权利要求6所述的巯基芴芳胺的制备方法，其特征在于，所述支链基团供体与核心基团供体的当量比为(2-6)：1，反应中采用的催化剂选自Pd2(dba)3和/或X-phos，所述反应温度为110-130℃，所述反应时间为8-24h。

8.权利要求4或5所述的巯基芴芳胺在空穴传输层中的应用。

9.一种空穴传输层材料，其特征在于，包括权利要求4或5所述的巯基芴芳胺或权利要求6或7所述的方法制得的巯基芴芳胺。

10.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括权利要求9所述的空穴传输层材料。