[发明专利]一种石墨烯电磁屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)取氟化锂、盐酸，混合搅拌至溶解，加入Ti₃AlC₂粉体，混合均匀，40-45℃下搅拌40-50h，离心收集产物，去离子水洗涤至中性，产物加入去离子水，并置于冰水浴中超声分散，离心，得到二维碳化钛分散液；

(2)取石墨烯和去离子水，混合均匀后得到石墨烯分散液；

取PMMA微球分散液，加入石墨烯分散液，混合搅拌，离心收集产物，真空干燥，得到包覆微球；

取二维碳化钛分散液和包覆微球，混合搅拌，加入Nafion溶液，继续搅拌，得到复合材料；将复合材料转移至加热炉中，高温焙烧，随炉冷却，得到屏蔽填料；

(3)取银纳米线、屏蔽填料和乙醇溶液，超声分散，得到浸涂液；取带有预设图案的玻璃模板，提拉法在玻璃模板表面涂覆浸涂液，干燥后形成银纳米线膜；

取PET基层，提拉法在PET基层表面涂覆聚乙烯醇水溶液，形成聚乙烯醇层，真空干燥后，将PET基层带有聚乙烯醇层的一侧贴在银纳米线膜上，热压转印，将银纳米线膜转移至聚乙烯醇层表面；

(4)取聚乙烯醇、聚苯乙烯磺酸和去离子水，混合搅拌，得到溶液A；将溶液A涂覆至步骤(3)制得的银纳米线膜上表面，真空干燥，得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)取氟化锂、盐酸，混合搅拌至溶解，加入Ti₃AlC₂粉体，混合均匀，40-45℃下搅拌40-50h，离心收集产物，去离子水洗涤至中性，产物加入去离子水，并置于冰水浴中超声分散1-1.2h，离心，得到二维碳化钛分散液；

(2)取石墨烯和去离子水，混合均匀后得到石墨烯分散液；

取PMMA微球分散液，加入石墨烯分散液，混合搅拌1-2h，离心收集产物，60-65℃下真空干燥，得到包覆微球；

取二维碳化钛分散液和包覆微球，混合搅拌20-30min，加入Nafion溶液，继续搅拌20-30min，得到复合材料；将复合材料转移至加热炉中，高温焙烧，随炉冷却，得到屏蔽填料；

(3)取银纳米线、屏蔽填料和乙醇溶液，超声分散10-20min，得到浸涂液；取带有预设图案的玻璃模板，提拉法在玻璃模板表面涂覆浸涂液，干燥后形成银纳米线膜；

取PET基层，提拉法在PET基层表面涂覆聚乙烯醇水溶液，形成聚乙烯醇层，真空干燥后，将PET基层带有聚乙烯醇层的一侧贴在银纳米线膜上，热压转印，将银纳米线膜转移至聚乙烯醇层表面；

(4)取聚乙烯醇、聚苯乙烯磺酸和去离子水，混合搅拌20-30min，得到溶液A；将溶液A涂覆至步骤(3)制得的银纳米线膜上表面，60℃下真空干燥8-10h，得到成品。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，热压转印后，在PET基层两侧放置玻璃板，90℃下热压20-30min，压力为5MPa。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，预设图案为网格槽(1)，所述网格槽(1)的横槽(3)、纵槽(4)交错位点处设置有圆形槽(2)，相邻圆形槽(2)的圆心距离为0.5mm，圆形槽(2)半径为0.15mm。

5.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述银纳米线膜的厚度为100-150μm，所述PET基层的厚度为50μm，所述聚乙烯醇层的厚度为30μm。

6.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，热压转印工艺参数为：热压温度为60-65℃，压力为4MPa，时间为12-15min。

7.根据权利要求1所述的一种石墨烯电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，高温焙烧过程为：氮气环境下焙烧1-1.5h，焙烧温度为450-460℃，再升温至790-800℃，升温速率为8-10℃/s，保温处理1.5-2h。