[发明专利]一种总线通讯接口电路及增强总线通讯效果的通信方法

权利要求书

1.一种总线通讯接口电路，设置于通过总线交互数据的每一个外部设备中，其特征在于，包括：

连接在所述总线上的通讯接口A1和通讯接口A2，所述通讯接口A1和通讯接口A2分别通过上拉电阻R1和上拉电阻R2接电源VCC；

与所述通讯接口A1相接的第一控制模块和与通讯接口A2相接的第二控制模块，所述第一控制模块和第二控制模块分别包括上拉辅助单元、NFET、控制单元和接收器；所述NFET的漏极接地，所述NFET的源极接通讯接口A1或通讯接口A2；其中，所述控制单元输出第一脉冲控制信号gate_n至所述NFET的栅极，所述控制单元输出第二脉冲控制信号至所述上拉辅助单元，所述接收器的输入端连接在通讯接口A1或通讯接口A2，所述上拉辅助单元的输出端接所述通讯接口A1或通讯接口A2，所述接收器输出信号Rev，所述信号Rev为所述控制单元的输入；

当所述第一脉冲控制信号gate_n从高电平变成低电平时，第二脉冲控制信号gate_p同时输出一个时间t的控制信号；此时，所述第一脉冲控制信号gate_n变低，关断所述的NFET，所述上拉电阻R1拉高通讯端口A1的电平或所述上拉电阻R2拉高通讯端口A2的电平；所述第二脉冲控制信号gate_p通过控制所述上拉辅助单元在t时间内输出高电平，增加所述通讯接口A1或所述通讯接口A2从低电平到高电平的上升沿速度。

2.根据权利要求1所述的总线通讯接口电路，其特征在于，所述上拉辅助单元为PFET，所述PFET的栅极接第二脉冲控制信号gate_p，所述PFET的源极接电源VCC，所述PFET的漏极接通讯接口A1或通讯接口A2。

3.根据权利要求2所述的总线通讯接口电路，其特征在于，所述的t时间为短暂脉冲信号，小于所述第一脉冲控制信号gate_n所持续低电平时间。

4.一种增强总线通讯效果的通信方法，用于通过总线交互数据的外部设备间的通讯，所述通讯通过主机和从机实现，用于发送数据的外部设备是所述主机，用于接收数据的外部设备是所述从机；所述主机和从机分别设置有权利要求1-3任意一个所述的总线通讯接口电路，所述主机和从机间的数据通讯包括：

步骤S1：所述主机中的第一控制模块和第二控制模块分别根据协议产生第一脉冲控制信号gate_n和第二脉冲控制信号gate_p，去控制所述通讯接口A1和通讯接口A2发送数据；其中，当所述第一脉冲控制信号gate_n从高电平变成低电平时，第二脉冲控制信号gate_p同时从高电平变成低电平，所述第二脉冲控制信号gate_p的低电平持续一个时间t后变成高电平；此时，所述第一脉冲控制信号gate_n变低，关断所述的NFET，所述上拉电阻R1拉高通讯端口A1的电平或所述上拉电阻R2拉高通讯端口A2的电平；所述第二脉冲控制信号gate_p通过控制所述上拉辅助单元在t时间内输出高电平，增加所述通讯接口A1或所述通讯接口A2从低电平到高电平的上升沿速度；其中，所述时间t小于第一脉冲控制信号gate_n所持续的低电平时间；

步骤S2：所述从机的第一控制模块和第二控制模块分别接收所述主机的第一控制模块和第二控制模块控制发送的数据，并通过所述第一控制模块和第二控制模块的所述接收器分别接收，所述接收器输出信号Rev至各自相应的控制单元。