[发明专利]基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法

权利要求书

1.基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS-C部分和MOSFET部分，其中，MOS-C部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的第一底层介质层、电荷耦合层、第一顶层介质层和第一控制栅极，MOSFET部分包括N型源极区、N型漏极区以及在所述P型半导体衬底上方依次叠设的第二底层介质层、所述电荷耦合层、第二顶层介质层和第二控制栅极；其特征在于，将所述第一控制栅极设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的栅端；将所述N型源极区设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端，将所述N型漏极区设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端，将所述P型半导体衬底设置为所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的衬底端；所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端接地，漏端接正偏压，衬底端接地，在栅端上施加一个正负交替、幅值可调且占空比可调的脉冲电压，使得MOSFET部分的P型半导体衬底中的沟道热电子在施加电压的电场作用下注入到所述电荷耦合层，从而使得所述复合介质栅双晶体管光敏探测器阈值电压趋于收敛。

2.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，在所述复合介质栅双晶体管光敏探测器进行软编程之前，对所述复合介质栅双晶体管光敏探测器进行擦除操作，该擦除操作的加压方式为：所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端和漏端均接地，其栅端上加负偏压，其衬底端加正偏压，且栅端和衬底端的电压差值和时间可调。

3.根据权利要求1所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，多个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器组成N行N列的阵列，每一行N个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的栅端相连，并设置为字线，每一列N个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的漏端相连，并设置为比特线，每一列N个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的源端相连，并设置为源线，N×N个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器的衬底相连，并设置为衬底端。

4.根据权利要求3所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，对所述阵列进行软编程，即令阵列中的N条源线接地，N条比特线接正偏压，衬底端接地，在N条字线上施加一个正负交替、幅值可调且占空比可调的脉冲电压。

5.根据权利要求4所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，所述阵列中，每行每列上所述复合介质栅双晶体管光敏探测器单独进行软编程，并且多个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器在同一时刻或者不同时刻进行软编程。

6.根据权利要求4所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，在所述阵列进行软编程之前，对阵列的所有所述复合介质栅双晶体管光敏探测器进行擦除操作，该擦除操作的加压方式为：N条源线接地，N条比特线接地，N条字线接负偏压，衬底端接正偏压，且所述N条字线上的负偏压与衬底端上的正偏压的电压差值和时间可调。

7.根据权利要求6所述的基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的软编程方法，其特征在于，所述阵列中，每行每列上所述复合介质栅双晶体管光敏探测器单独进行擦除，并且多个所述复合介质栅双晶体管光敏探测器在同一时刻或者不同时刻进行擦除。