[发明专利]一种有机硅单体合成流化床反应器中防结碳的方法和装置

权利要求书

1.一种有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，包括：

罐体；

至少一U形换热管，设于所述罐体内；所述U形换热管包括弯头部，所述U形换热管竖直设置且所述弯头部位于下方；以及

至少一上导流块，对应设置在所述弯头部的上表面；所述上导流块的宽度值从连接所述弯头部的位置至远离所述弯头部的位置逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，所述上导流块包括连接部以及导流部，所述连接部与所述弯头部的上表面连接，所述导流部设置在所述连接部上远离所述弯头部的一侧。

3.根据权利要求2所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，所述导流部的横截面形状为椭圆形、三角形或圆弧形中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，所述连接部为凹设于所述导流部的圆弧面；或者所述连接部的横截面形状为四边形，且该四边形的底边为凹设于所述四边形的圆弧面。

5.根据权利要求2所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，所述连接部的宽度值等于所述U形换热管的宽度值的100%-150%；所述上导流块的高度值等于所述弯头部的高度值的50%-200%。

6.根据权利要求1所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，还包括下导流块，设置在所述弯头部的下表面；所述下导流块与所述上导流块以所述弯头部的最低直径圆心点所在水平面为对称面互为镜像设置。

7.根据权利要求1所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，在所述罐体的外表面还设有气固流动主动调控转置，所述气固流动主动调控转置对应设置在所述弯头部的下方。

8.根据权利要求7所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，所述罐体在所述弯头部的下方位置包括倒圆锥筒体，所述气固流动主动调控转置分为多层，每层高度为所述倒圆锥筒体的5%-20%；所述气固流动主动调控转置均分分布在所述倒圆锥筒体上。

9.根据权利要求1所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，其特征在于，还包括进气分布器，设置在所述弯头部的下方；所述进气分布器呈V形连接至所述罐体的内侧壁，所述进气分布器上设有多个气体分布孔。

10.一种有机硅单体合成流化床反应器中防结碳方法，其特征在于，包括：

提供一权利要求1至9任一项所述的有机硅单体合成流化床反应器中防结碳装置，氯甲烷气体经过气体分布器进入罐体内的单体合成流化床反应器后，在催化剂的作用下与固体硅颗粒反应；反应热由U形换热管换热管带出，同时在U形换热管的弯头部设置的上导流块用以减少颗粒聚集。