[发明专利]一种光电协同过氧化氢处理氯酚类污染物的装置及其应用在审
申请号: | 202111305758.2 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114162956A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 张敬东;闫凯;覃锦 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C02F3/00 | 分类号: | C02F3/00;C02F3/34;C02F101/34;C02F101/36 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 陈灿 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 协同 过氧化氢 处理 氯酚类 污染物 装置 及其 应用 | ||
1.一种光电协同过氧化氢处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,包括半导体光阳极,用于在光照作用下产生光生空穴氧化降解氯酚类污染物;
催化阴极,与半导体光阳极电连接,用于接受半导体光阳极产生的光电子,将电解液中的溶解氧还原为过氧化氢,所述催化阴极负载有过氧化物酶,所述过氧化物酶能够催化过氧化氢降解氯酚类污染物;
电解池,用于装载半导体光阳极、催化阴极和电解液;
电源,用于驱动半导体光阳极产生的光电子流向催化阴极;
光源,用于提供光照。
2.根据权利要求1所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述光阳极包括有光敏材料层和负载光敏材料层的导电基底,所述光敏材料层为钒酸铋、钒酸铋/三氧化钨复合半导体、钒酸铋/三氧化二铁复合半导体和二氧化钛/钒酸铋复合半导体中的一种。
3.根据权利要求1所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述催化阴极包括过氧化物酶层和负载过氧化物酶层的导电基底,所述过氧化物酶层中的过氧化物酶为从植物中提取的过氧化物酶,所述植物为辣根、大豆和马铃薯中的至少一种。
4.根据权利要求2或3所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述导电基底为导电玻璃电极、玻碳电极、石墨电极和碳布电极中的一种。
5.根据权利要求1所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述电源施加的偏压为1V-3V。
6.根据权利要求5所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述电源为恒电位仪或硅光电池。
7.根据权利要求2所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述电解液包括待处理的氯酚类污染物溶液,所述电解液pH值为3-8,氯酚类污染物的浓度为1ppm-100ppm,优选的,所述氯酚类污染物包括2,4-二氯苯酚、2-氯苯酚、3-氯苯酚和4-氯苯酚中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的处理氯酚类污染物的装置,其特征在于,所述光源的光强为20-1000mW/cm2,光源为氙灯、钨灯和LED灯中的一种。
9.根据权利要求1-8任一项所述的光电协同过氧化氢处理氯酚类污染物的装置的应用。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备半导体光阳极和催化阴极,将半导体光阳极与催化阴极置于电解池中,其中光阳极与电源的正极相连接,催化阴极与电源的负极相连接;
(2)将含有氯酚类污染物的电解液加入到电解池中,打开光源,所述半导体光阳极被光源照射,在半导体光阳极与催化阴极之间施加电压,实现氯酚类污染物的降解;
优选的,步骤(2)中采用高效液相色谱法实时监测氯酚类污染物的浓度变化。
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