[发明专利]PTC欠压保护控制方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述PTC欠压保护控制方法包括：

在充电设备执行充电预加热功能时，获得非线性热敏电阻PTC的当前输入端电压；

将所述当前输入端电压输入至预设占空比限值映射图，获得目标占空比限值；

根据所述当前输入端电压和所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出。

2.如权利要求1所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述在充电设备执行充电预加热功能时，获得非线性热敏电阻PTC的当前输入端电压，包括：

在充电设备执行充电预加热功能时，检测非线性热敏电阻PTC的当前工作状态；

在所述当前工作状态为使能时，检测PTC在当前时刻的当前输入端电压。

3.如权利要求1所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述将所述当前输入端电压输入至预设占空比限值映射图，获得目标占空比限值之前，所述PTC欠压保护控制方法还包括：

获取不同PTC输入端电压信号对应的不同PTC控制占空比限值；

根据各PTC输入端电压信号和各PTC控制占空比限值生成对应的映射曲线；

获取实际充电预加热的加热数据，根据所述加热数据对所述映射曲线进行标定，生成预设占空比限值映射图。

4.如权利要求1所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述将所述当前输入端电压输入至预设占空比限值映射图，获得目标占空比限值，包括：

将所述当前输入端电压输入至预设占空比限值映射图，获得与所述当前输入端电压对应的映射值参数，将所述映射值参数作为目标占空比限值。

5.如权利要求1-4中任一项所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述根据所述当前输入端电压和所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出，包括：

将所述当前输入端电压与预设电压阈值进行比较，获得电压比较结果；

根据所述电压比较结果和所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出。

6.如权利要求5所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述根据所述电压比较结果和所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出，包括：

在所述的电压比较结果为所述当前输入端电压小于预设最小电压阈值时，对所述目标占空比限值进行调整，根据调整后的占空比限值控制所述充电设备的输出；

在所述的电压比较结果为所述当前输入端电压大于预设最大电压阈值时，根据所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出。

7.如权利要求6所述的PTC欠压保护控制方法，其特征在于，所述在所述的电压比较结果为所述当前输入端电压小于预设最小电压阈值时，对所述目标占空比限值进行调整，根据调整后的占空比限值控制所述充电设备的输出，包括：

在所述的电压比较结果为所述当前输入端电压小于预设最小电压阈值时，根据整车控制器VCU降低所述目标占空比限值，获得降低后的占空比限值；

根据所述降低后的占空比限值降低所述充电设备的PTC控制电流的输出。

8.一种PTC欠压保护控制装置，其特征在于，所述PTC欠压保护控制装置包括：

电压获取模块，用于在充电设备执行充电预加热功能时，获得非线性热敏电阻PTC的当前输入端电压；

占空比获取模块，用于将所述当前输入端电压输入至预设占空比限值映射图，获得目标占空比限值；

控制模块，用于根据所述当前输入端电压和所述目标占空比限值控制所述充电设备的输出。

9.一种PTC欠压保护控制设备，其特征在于，所述PTC欠压保护控制设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的PTC欠压保护控制程序，所述PTC欠压保护控制程序配置为实现如权利要求1至7中任一项所述的PTC欠压保护控制方法的步骤。

10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有PTC欠压保护控制程序，所述PTC欠压保护控制程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任一项所述的PTC欠压保护控制方法的步骤。