[发明专利]一种调制器和调制方法在审
申请号: | 202111295421.8 | 申请日: | 2021-11-03 |
公开(公告)号: | CN114185221A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 张宇光;肖希;王磊;胡晓;陈代高 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司 |
主分类号: | G02F1/21 | 分类号: | G02F1/21;G02F1/225;G02F1/035 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调制器 调制 方法 | ||
本申请公开了一种调制器和调制方法,其中,所述调制器包括:分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、可调光衰减器、相移器和合束器;所述分束器的输入端接入光源,所述分束器的第一输出端与所述第一渐变波导的输入端连接,所述第一渐变波导的输出端与所述电光调制器的输入端连接,所述电光调制器的输出端与所述第二渐变波导的输入端连接,所述第二渐变波导的输出端与所述合束器的第一输入端连接;所述分束器的第二输出端与所述可调光衰减器的输入端连接,所述可调光衰减器的输出端与所述相移器的输入端连接,所述相移器的输出端与所述合束器的第二输入端连接,所述合束器的输出端输出干涉光。
技术领域
本申请实施例涉及光通信器件领域,涉及但不限于一种调制器和调制方法。
背景技术
硅基调制器由于可以与成熟的互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor,CMOS)工艺相兼容,因此可以大规模加工制备,降低器件的制备成本。
马赫-曾德尔型硅基调制器是常见的一种硅基调制器,传统的马赫-曾德尔型硅基调制器存在结构尺寸大、功耗高等问题。此外,对于传统的马赫-曾德尔型硅基调制器来说,由于消光比较低,因此误码率较高。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种调制器和调制方法。
一方面、本申请实施例提供一种调制器,所述调制器包括:分束器、第一渐变波导、电光调制器、第二渐变波导、可调光衰减器、相移器和合束器;
所述分束器的输入端接入光源,所述分束器的第一输出端与所述第一渐变波导的输入端连接,所述第一渐变波导的输出端与所述电光调制器的输入端连接,所述电光调制器的输出端与所述第二渐变波导的输入端连接,所述第二渐变波导的输出端与所述合束器的第一输入端连接;
所述分束器的第二输出端与所述可调光衰减器的输入端连接,所述可调光衰减器的输出端与所述相移器的输入端连接,所述相移器的输出端与所述合束器的第二输入端连接,所述合束器的输出端输出干涉光。
另一方面、本申请实施例提供一种调制方法,所述方法包括:
所述分束器将入射光分束形成第一束光和第二束光;其中,所述第一束光经第一渐变波导进入所述电光调制器,所述第二束光进入所述可调光衰减器;所述电光调制器对经所述第一渐变波导进入所述电光调制器的所述第一束光进行调制,得到第一相干光,所述第一相干光经所述第二渐变波导进入合束器;所述可调光衰减器对所述第二束光进行强度衰减,所述相移器对经强度衰减后的所述第二束光进行移相,形成第二相干光;所述第二相干光进入所述合束器;所述第一相干光和所述第二相干光在所述合束器中干涉,形成干涉光。
在传统的马赫-曾德尔型硅基调制器中,当两束光分别经过两个调制臂时,两个调制臂对光的吸收损耗不同,合束时两束光的强度不再相同,干涉效率降低,导致调制器的消光比较低。相比之下,在本申请实施例中,分束器将入射光分成第一束光和第二束光,第一束光依次经过第一渐变波导、电光调制器和第二渐变波导,经过电光调制器调制的所述第一束光的强度和相位发生了变化,因此,基于所述第一束光的强度信息,采用可调光衰减器对第二束光的光强进行衰减,基于所述第一束光的相位信息,采用相移器对第二束光的相位进行调节,使得当两束光进入合束器时,两束光的光强度相同,相位差恒定。因此,调制器的消光比较高,使得误码率较低。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,这些附图示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于说明本申请的技术方案。
图1为本申请实施例提供的一种调制器的组成结构示意图;
图2为本申请实施例提供的分束器进行光分束的示意图;
图3为本申请实施例提供的光纤的组成结构示意图;
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