[发明专利]芯片内部时钟频率校准方法，计算机设备及可读存储介质

权利要求书

1.一种芯片内部时钟频率校准方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取微控制芯片当前的工作温度T_Exact；

根据温度与频率关系函数得到所述微控制芯片在当前工作温度下的测算时钟频率f(T_Exact)；

获取标准温度偏置值，所述标准温度偏置值为在标准温度下，标准时钟频率与测算时钟频率的差值；

根据所述标准温度偏置值对所述当前工作温度下的测算时钟频率进行校准，得到基础时钟频率F_REFO。

2.根据权利要求1所述的芯片内部时钟频率校准方法，其特征在于，

所述温度与频率关系函数为：

f(x)＝A*x²+B*x+C

其中，x为芯片工作温度，x范围∈[-10℃，60℃]，其中A、B和C为经验常数。

3.根据权利要求1所述的芯片内部时钟频率校准方法，其特征在于：

所述根据所述标准温度偏置值对所述当前工作温度下的测算时钟频率进行校准，得到基础时钟频率F_REFO之后，包括：

使用校准后的所述基础时钟频率F_REFO，测量所述微控制芯片内部的低功耗低频时钟频率F_VLO。

4.根据权利要求3所述的芯片内部时钟频率校准方法，其特征在于，所述使用校准后的所述基础时钟频率F_REFO，测量所述微控制芯片内部的低功耗低频时钟频率F_VLO，包括：

在测量时间T内计数输出周期方波数Count_VLO；

计时器Timer A0采用所述基础时钟频率F_REFO，根据输出周期方波数Count_REFO测量所述测量时间T；其中，所述基础时钟频率F_REFO，输出周期方波数Count_REFO以及测量时间T之间的关系为：T＝Count_REFO/F_REFO；

根据Count_VLO和测量时间T计算低功耗低频时钟频率F_VLO；其中，所述低功耗低频时钟频率F_VLO，输出周期方波数Count_VLO以及测量时间T之间的关系为：F_VLO＝Count_VLO/T。

5.根据权利要求3所述的芯片内部时钟频率校准方法，其特征在于，所述使用校准后的所述基础时钟频率F_REFO，测量所述微控制芯片内部的低功耗低频时钟频率F_VLO，包括：

所述计时器Timer A0在固定时间T₁内采用所述基础时钟频率F_REFO输出方波数Count_REFO；

所述基础时钟RTC采用所述微控制芯片的F_VLO，计数所述基础时钟RTC在所述固定时间T₁内输出方波数Count_VLO，计算得到所述F_VLO的测量频率；其中，所述低功耗低频时钟频率F_VLO，所述基础时钟频率F_REFO，输出周期方波数Count_VLO以及输出方波数Count_REFO之间的关系为：F_VLO＝F_REFO*Count_VLO/Count_REFO。