[发明专利]一种高性能三元含能薄膜点火换能元有效
| 申请号： | 202111286773.7 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114015993B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张威;戴雪玉;张良 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06;C23C14/04;F42D1/04 |
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| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 三元 薄膜 点火 换能元 | ||
1.一种高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，包括基底，基底表面的绝热层，位于绝热层上表面的点火桥膜和金属电极，位于点火桥膜上表面的绝缘层，位于绝缘层上表面的Al/B/Ti三元含能薄膜层，所述三元含能薄膜层按照一定排列顺序通过周期性磁控溅射沉积在绝缘层上表面。
2.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述三元含能薄膜的总厚度为1～5μm。
3.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述三元含能薄膜是通过Al、B、Ti单质靶周期性磁控溅射而成，周期数为2～100。
4.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述三元含能薄膜是按照Al/B/Ti、Al/Ti/B/Ti或Ti/Al/B/Al的顺序交替溅射在点火桥绝缘层上表面，各层均为单质。
5.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述三元含能薄膜中Al，B，Ti的摩尔比满足Al∶B∶Ti＝6∶38∶25。
6.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述三元含能薄膜在溅射时利用光刻胶作为掩膜，覆盖点火桥区和部分金属电极。
7.如权利要求1所述的高性能三元含能薄膜点火换能元，其特征在于，所述基底材料为单晶硅片或玻璃片；所述绝热层材料为SiO2；所述金属电极材料为Cu或Al；所述点火桥材料为单晶硅，多晶硅或NiCr合金；桥区形状为“H”形或双“V”形；所述绝缘层材料为SiO2或Si3N4。
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