[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

非掺杂的第一布拉格反射镜，形成于所述衬底上；

第一接触层，形成于第一布拉格反射镜的表面；

非掺杂的下包覆层，形成于第一接触层的表面；

非掺杂的第一台面，形成于所述下包覆层的表面，所述第一台面包括依次形成于下包覆层上的有源层和上包覆层；

n型掺杂的第二台面，形成于所述第一台面上，所述第二台面包括依次形成于第一台面上的电流扩展层和第二接触层，所述第二台面的侧面p型扩散形成环形的扩散区；

以及

非掺杂的第二布拉格反射镜，形成于所述第二台面上。

2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二台面的侧面p型扩散的掺杂浓度为2E18～2E19cm^-3；和/或

所述扩散区的宽度为200-2000nm。

3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一台面的最大外径小于所述下包覆层的最大外径，

所述下包覆层暴露的表面上设置有第一电极，

所述第一电极和第一接触层之间p型扩散形成电接触区。

4.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下包覆层暴露的表面向衬底方向减薄形成台阶面，所述第一电极设置于所述台阶面上。

5.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电接触区p型扩散的掺杂浓度为2E18～2E19cm^-3；和/或

电接触区的厚度为200-2000nm。

6.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二台面的最大外径小于所述第一台面的最大外径，

所述第一电极和台阶面之间设置有钝化层，

所述钝化层延伸至所述第一台面所暴露的表面。

7.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二布拉格反射镜的最大外径小于所述第二台面的最大外径，

所述第二台面暴露的表面上设置有第二电极，所述第二电极设置于第二布拉格反射镜和扩散区之间。

8.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述下包覆层采用InP、Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y或Ga_xAl_yIn_1-x-yAs；和/或

所述上包覆层采用InP、Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y或Ga_xAl_yIn_1-x-yAs；和/或

所述电流扩展层采用InP、Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y或Ga_xAl_yIn_1-x-yAs；和/或

所述第一布拉格反射镜材料为InP、Ga_xIn_1-xAsyP_1-y或Ga_xAl_yIn_1-x-yAs；和/或

所述第二布拉格反射镜材料为SiO₂、Si₃N₄或Si；和/或

所述衬底的材料为InP；和/或

所述有源层的材料为Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y或Ga_xAl_yIn_1-x-yAs构成的多量子阱。