[发明专利]多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件

说明书

本发明提供一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。该方法包括：多线TRL校准件包括一个直通、与直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，方法包括：根据衬底参数和金属参数，得到传输线横截面尺寸；根据传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线以及确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；进行半导体工艺加工，得到校准件；对校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。本发明能够解决了目前国内没有多线TRL校准件的制备方式导致缺乏多线TRL校准件的问题。

技术领域

本发明涉及晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，尤其涉及一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件。

背景技术

在对被测芯片测量前，需对在片S参数测量系统进行校准，常见的校准方法有传输线-反射-反射-匹配(Line-Re-flect-Reflect-Match，LRRM)校准件、开路-短路-负载-直通(Short-Open-Load-Thru，SOLT)校准件和直通-反射-传输线(Thru-Reflect-Line，TRL)校准件等，配合国外生产厂商提供的校准件使用。在片S参数的测量准确度取决于其使用的校准方法和校准件。

随着在片S参数测量需求的增加，商用在片多线TRL校准件的用量也随之增加，而目前商用在片多线TRL校准件主要是进口，国内尚无在片多线TRL校准件的制备方式，导致缺乏多线TRL校准件。

发明内容

本发明实施例提供了一种多线TRL校准件的制备方法及多线TRL校准件，以解决目前没有多线TRL校准件制备方法的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种多线TRL校准件的制备方法，包括：

多线TRL校准件包括一个直通、与所述直通的横截面相同且不同长度的多个传输线以及反射，所述反射包括两个开路或者两个短路，所述多线TRL校准件的制备方法包括：

获取衬底参数和所述衬底上设置的金属的参数，根据所述衬底参数和所述金属参数，得到传输线横截面尺寸，所述衬底参数包括衬底厚度和衬底介电常数，所述金属参数包括金属的电导率和金属厚度；

根据所述传输线横截面尺寸，确定多个不同长度的传输线；

根据所述传输线横截面尺寸，确定开路的横截面尺寸或者短路的横截面尺寸；

根据所述多个不同长度的传输线、所述开路的横截面尺寸或者所述短路的横截面尺寸进行半导体工艺加工，得到校准件；

对所述校准件中的直通、传输线和反射进行参数标定，得到多线TRL校准件。

在一种可能的实现方式中，每个开路或者每个短路中的两片金属尺寸完全一致；

所述根据所述传输线横截面尺寸，确定开路或者短路，包括：

将所述传输线的宽度，确定为所述开路或者所述短路的宽度，将所述传输线的长度确定为所述开路或者所述短路的长度；

根据所述开路或者所述短路的宽度，确定构成所述开路或者所述短路的两片金属之间的距离。

在一种可能的实现方式中，对所述校准件中的直通的参数标定方式与传输线的参数标定方式相同；

对所述校准件中的传输线进行参数标定，包括：

获取所述传输线的长度；

根据确定所述传输线的相速；

其中，v_p表示所述传输线的相速，l表示所述传输线的长度，ε_eff表示有效介电常数，c表示光在真空中的传播速度。

在一种可能的实现方式中，对所述校准件中的反射进行参数标定，包括：