[发明专利]一种远红外透明电磁屏蔽涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种远红外透明电磁屏蔽涂层，其特征在于：该远红外透明电磁屏蔽涂层是由菱方相Bi-Se晶体材料组成的远红外透明导电连续膜，膜厚为40nm；菱方相Bi-Se晶体材料的化学式为Bi₂Se_x，其中1.5x2。

2.根据权利要求1所述的远红外透明电磁屏蔽涂层，其特征在于：菱方相Bi-Se晶体材料的化学式为Bi₂Se_1.9。

3.如权利要求1或2所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在磁控溅射镀膜系统中将纯Bi₂Se₃靶安装在磁控射频溅射靶中，采用半导体材料为衬底；

2)将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空处理直至室内真空度达到所需真空度，然后向溅射腔室内通入高纯Ar气直至溅射腔室内气压达到溅射所需起辉气压；

3)控制纯Bi₂Se₃靶的溅射功率，在基底上沉积得到的连续膜材料即为远红外透明电磁屏蔽涂层。

4.根据权利要求3所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于：步骤1)中，衬底材质选取多晶硫化锌、多晶硒化锌或单晶硅。

5.根据权利要求3所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于：步骤2)中，所需真空度为4×10^-4-6×10^-4Pa，所需起辉气压为1.0-4.0Pa。

6.根据权利要求3所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于：步骤3)中，纯Bi₂Se₃靶采用射频电源，溅射功率为55-65W。

7.根据权利要求3所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于：步骤3)中，溅射条件为：靶基距为70mm，衬底温度295-305℃，工作压强为0.95-1.05Pa，Ar气流量为79-81sccm，溅射时间为59-61s。

8.根据权利要求3所述远红外透明电磁屏蔽涂层的制备方法，其特征在于：在基底上沉积得到薄膜材料后，采用管式炉退火，退火时提供常压Ar气氛，Ar流速为200-300sccm，退火温度为295-305℃，退火时间为15min。