[发明专利]采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法、蓝光OLED器件及其制备方法和应用

说明书

采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法、蓝光OLED器件及其制备方法和应用，其中，采用光谱蓝移获得蓝光发射主要采用的手段为：a)以绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂在BCPO材料中作为OLED器件的发光层且限定4CzIPN的掺杂浓度在合适范围；b)选择合适材料作为OLED器件的其它结构层；c)将OLED器件的各结构层的厚度限定在合适范围；由上述a)～c)引起OLED器件通电工作时的发射峰蓝移，从而发射出蓝光。本发明在不利用蓝光材料的前提下获得了蓝光发射，为高效蓝色OLED的材料缺乏问题提供一种可行的解决方案。

技术领域

本发明涉及有机电致发光技术领域，特别涉及一种采用光谱蓝移获得蓝光发射的方法、蓝光OLED器件及其制备方法和应用。

背景技术

高效、稳定的蓝光材料匮乏已经成为当前阻碍有机发光二极管(Organic lightemitting diodes,OLEDs)快速发展的重要挑战之一。虽然已经开发出了高效蓝色磷光OLED和热激活延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)OLED，但它们还存在色纯度差、寿命短和效率滚降快等问题。另外，OLED的发射颜色还可以通过光学效应来改变，例如固态溶剂化效应(Solid-state solvation effect，SSSE)和微腔效应等。

固态溶剂化效应是由基态和激发态中涉及光发射的不同分子偶极矩引起的，并且强烈依赖于周围分子的极性。例如，当发光分子的偶极矩随着电子激发而增加时，极性环境对库仑的更强稳定作用会降低其激发能级并因此引起红移。微腔效应是满足谐振条件的波长的光由于相长干涉而在微腔中得到加强或窄化的现象，但是大多数发光材料是p型材料，复合区靠近金属电极，在没有附加半透明反射镜的情况下，金属-ITO结构的微腔对器件光谱的影响通常可以忽略。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种不利用蓝光材料而通过光谱蓝移获得蓝光发射的方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

a)以绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂在BCPO材料中作为OLED器件的发光层且限定所述4CzIPN的掺杂浓度为0.6～2wt％；

b)选择合适材料作为所述OLED器件的其它结构层；

c)将所述OLED器件的各结构层的厚度限定在合适范围；

由上述a)～c)引起OLED器件通电工作时的发射峰蓝移，从而发射出蓝光。

优选地，在a)中，所述发光层中4CzIPN的掺杂浓度约为1.0wt％。

另外，本发明还涉及一种蓝光OLED器件，包括发射层和位于发射层两侧的其它结构层，所述发光层由绿色TADF材料4CzIPN为发射体掺杂于BCPO材料中制作而成且4CzIPN的掺杂浓度为0.6～2wt％，所述其它结构层所用材料组分与发光层相匹配且各结构层的厚度被限定在合适范围以使得器件通电工作时的发射峰蓝移，并由此发射出蓝光。

优选地，所述发光层中4CzIPN的掺杂浓度约为1.0wt％。

在本发明的一个实施例中，该蓝光OLED器件包括依次层叠设置的ITO层、TAPC层、mCP层、发光层、DPEPO层、TPBi层、LiF层、Al层。

其中，所述TAPC层的厚度约为40nm，所述mCP层的厚度约为20nm，所述发光层的厚度约为15nm，所述DPEPO层的厚度约为5nm，所述TPBi层的厚度约为60nm，所述LiF层的厚度约为0.5nm。

其中，所述ITO层的方块电阻值为15-20Ω/□，所述Al层的厚度约为100nm。