[发明专利]BaF2

说明书

本发明公开了BaF₂基底3.7‑4.8μm7.7‑9.5μm双波段减反射膜及其制备方法，所述减反射膜包括基底层，所述基底层上依次设置有Y₂O₃层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnS层。本发明在实际应用中，可以有效解决BaF₂材料光学零件容易脱膜的难题，能够有效提升减反膜的膜层牢固性和3.7‑4.8μm7.7‑9.5μm波段内光谱透过率。

技术领域

本发明涉及红外镀膜技术领域，特别是BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜及其制备方法。

背景技术

BaF₂作为一种在红外波段有着良好光学透过性的低折射率材料，常被应用于红外双色光学系统中。BaF₂材料具有一定水溶性，由BaF₂材料制作的光学零件膜层容易脱落，不能承受GJB2485-1995《光学膜层通用规范》标准对附着力、湿热、中度摩擦的考验，而且在3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段内平均透过率不高，无法满足新型红外双色光学系统的使用要求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜光学性能不佳的缺点，提供BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜及其制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜，包括基底层，所述基底层上依次设置有Y₂O₃层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnS层。

作为优选的，所述基底层上依次设置有厚度20±5nm的Y₂O₃层、厚度111±2nm的ZnSe层、厚度328±3nm的YbF₃层、厚度640±5nm的ZnSe层、厚度86±0.5nm的Ge层、厚度81±1nm的ZnSe层、厚度350±3nm的Ge层、厚度71±1nm的ZnSe层、厚度147±1.5nm的Ge层、厚度89±1nm的ZnSe层、厚度171±2nm的YbF₃层、厚度76±1nm的ZnSe层、厚度72±1nm的Ge层、厚度36±2nm的ZnSe层、厚度585±10nm的YbF₃层、厚度130±3nm的ZnS层。

一种BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，包括步骤S2，使用物理气相沉积镀膜设备，采用APS离子源辅助沉积方式，在基底层表面依次镀制Y₂O₃层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnS层。

作为优选的，步骤S2中，APS离子源辅助沉积方式中的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量8-10sccm，偏置电压100-120V，放电电压60-90V，放电电流20-40A，线圈电流1-3A。

作为优选的，步骤S2中，镀制温度150-170℃。

作为优选的，在步骤S2之前还包括步骤S1，所述步骤S1是使用物理气相沉积镀膜设备的APS离子源，对基底表面轰击。