[发明专利]BaF2

权利要求书

1.BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜，包括基底层，其特征在于，所述基底层上依次设置有Y₂O₃层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnS层。

2.根据权利要求1所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜，其特征在于：所述基底层上依次设置有厚度20±5nm的Y₂O₃层、厚度111±2nm的ZnSe层、厚度328±3nm的YbF₃层、厚度640±5nm的ZnSe层、厚度86±0.5nm的Ge层、厚度81±1nm的ZnSe层、厚度350±3nm的Ge层、厚度71±1nm的ZnSe层、厚度147±1.5nm的Ge层、厚度89±1nm的ZnSe层、厚度171±2nm的YbF₃层、厚度76±1nm的ZnSe层、厚度72±1nm的Ge层、厚度36±2nm的ZnSe层、厚度585±10nm的YbF₃层、厚度130±3nm的ZnS层。

3.一种权利要求1或2所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：包括步骤S2，使用物理气相沉积镀膜设备，采用APS离子源辅助沉积方式，在基底层表面依次镀制Y₂O₃层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF₃层、ZnS层。

4.根据权利要求3所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：步骤S2中，APS离子源辅助沉积方式中的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量8-10sccm，偏置电压100-120V，放电电压60-90V，放电电流20-40A，线圈电流1-3A。

5.根据权利要求3所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：步骤S2中，镀制温度150-170℃。

6.根据权利要求3所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：在步骤S2之前还包括步骤S1，所述步骤S1是使用物理气相沉积镀膜设备的APS离子源，对基底表面轰击。

7.根据权利要求6所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：所述步骤S1中，APS离子源轰击的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量10-12sccm，偏置电压100-120V，放电电压60-90V，放电电流30-50A，线圈电流1-3A。

8.根据权利要求6所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：所述步骤S1中，轰击时间5-7min。

9.根据权利要求3所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：在步骤S2之后还包括步骤S3，所述步骤S3是在膜层沉积完毕后保持沉积时的温度1小时后关闭保温。

10.根据权利要求9所述的BaF₂基底3.7-4.8μm7.7-9.5μm双波段减反射膜的加工方法，其特征在于：所述步骤S3中，关闭保温后冷却至50摄氏度以下取出零件。