[发明专利]一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法及产品在审
| 申请号: | 202111271406.X | 申请日: | 2021-10-29 |
| 公开(公告)号: | CN113880559A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
| 发明(设计)人: | 吴甲民;刘春磊;杜全沛;陈双;郑雯;何梓轩;史玉升 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/14;C04B35/468;C04B35/48;C04B35/491;C04B35/565;C04B35/584;C04B35/632;C04B35/634;C04B35/64 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 尚威;孔娜 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 光固化 成形 固化 陶瓷 制备 方法 产品 | ||
1.一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
S1选取光敏树脂、聚乙二醇、分散剂和光引发剂混合,以此形成混合均匀的混合液,在所述混合液中添加陶瓷粉体,搅拌获得陶瓷浆料;
S2在所述陶瓷浆料中添加吸光度和折射率均低的聚合物微球,经真空搅拌除泡处理得到成分均匀的复合陶瓷浆料;
S3预设光固化成形工艺参数,利用所述复合陶瓷浆料惊醒光固化成型得到陶瓷素坯,对该陶瓷素坯进行排胶和反应烧结处理,以此获得所需的高性能陶瓷零件。
2.如权利要求1所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述陶瓷粉体为碳化硅、氮化硅、钛酸钡、锆钛酸铅、氧化铝、氧化锆、氧化硅等的一种或多种,粒径为亚微米或微米级。
3.如权利要求2所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述聚合物微球为聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚苯乙烯和聚丙烯中的一种或多种。
4.如权利要求3所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,所述聚合物微球与陶瓷粉体的体积比为1:4~7:3。
5.如权利要求2所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述光敏树脂为邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯和乙氧化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述光敏树脂与所述聚乙二醇的质量比为9:1~4:1。
7.如权利要求1所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述光引发剂为2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦,所述引发剂的质量为光敏树脂与聚乙二醇质量和的1%~7%。
8.如权利要求1所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S1中,所述分散剂质量为陶瓷粉体与聚合物微球总质量的1%~6%。
9.如权利要求1所述的一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,所述排胶过程按照下列步骤进行:以升温速率0.1℃/min~2℃/min从室温升温至500℃~700℃,保温1h~3h,后随炉冷却至室温;所述的烧结按照下列步骤进行:以2℃/min~6℃/min从室温升温至1100℃~2100℃,保温2h~4h,随炉冷却至室温。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备获得的陶瓷零件。
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