[发明专利]一种薄膜体声波谐振器、制备方法及薄膜体声波滤波器在审
| 申请号： | 202111268238.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114006600A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 闫鑫;张智欣;陈长娥;于海洋;倪烨 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/54;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 翟磊 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 声波 谐振器 制备 方法 滤波器 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、底电极、压电层、顶电极和钝化层，其中，所述底电极与所述顶电极的材质为二维材料；
所述衬底上设有凹槽，所述底电极覆设在所述凹槽上，所述压电层、顶电极和钝化层依次层叠设置在所述底电极上。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材质为氮化铝、铌酸锂或钽酸锂。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述钝化层的材质为二氧化硅或氮化铝。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底的材质为硅、锗、蓝宝石、石英或碳化硅。
5.一种用于制备权利要求1至4任一项所述的一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
制备二维材料层；
在衬底上开设凹槽，并在所述凹槽内填满牺牲材料，得到牺牲层；
将所述二维材料层中的第一预设区域内的第一子二维材料层转移到所述衬底上，且所述第一子二维材料层位于所述牺牲层的上表面，并对所述第一子二维材料层进行图形化，得到底电极；
在所述底电极上制备压电层；
将所述二维材料层中，第二预设区域内的第二子二维材料层转移到所述压电层上，并对所述第二子二维材料层进行图形化，得到顶电极；
在所述顶电极上制备钝化层，并去除所述牺牲层。
6.一种薄膜体声波滤波器，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的一种薄膜体声波谐振器。
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