[发明专利]一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备

权利要求书

1.一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，包括衬底、第一电极层、压电层、第二电极层和钝化层；

所述衬底上设有第一凹槽和第二凹槽；

所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；

所述第二电极层包括相互分离的第三子电极层和第四子电极层；

所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同，所述第一子压电层覆设在所述第一凹槽的开口上，所述第二子压电层覆设在所述第二凹槽的开口上；

所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，且所述第一子电极层位于所述第一凹槽内；

所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧，且所述第二子电极层位于所述第二凹槽内；

钝化层覆设在所述第三子电极层和所述第四子电极层上。

2.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述衬底的材质为硅、锗、蓝宝石、石英或碳化硅。

3.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述钝化层的材质为二氧化硅或氮化铝。

4.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述压电层的材质为氮化铝、铌酸锂或钽酸锂。

5.根据权利要求4所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材质为钼、铜、钨、金、钛、铝或铂。

6.一种用于制备权利要求1至5任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，其特征在于，包括：

在转移衬底上设置种子层，并对所述种子层进行图形化，图形化后的种子层包括第一子种子层和第二子种子层，且所述第一子种子层和所述第二子种子层的厚度不同；

在图形化后的种子层上依次设置压电层和第一金属材料层，并对所述第一金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；

在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；

去除所述转移衬底和所述图形化后的种子层，并在所述压电层上设置第三子电极层和第四子电极层；其中，所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧；

在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。

7.一种用于制备权利要求1至5任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，其特征在于，包括：

在转移衬底上依次设置种子层、压电材料层和第二金属材料层；

对所述第二金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；

在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；

去除所述转移衬底和所述种子层，对压电材料层进行处理，得到压电层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；

在所述第一子压电层上，并与所述第一子电极层相对设置第三子电极层；

在所述第二子电极层上，并与所述第二子电极层相对设置第四子电极层；

在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。

8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至5任一项权利要求所述的一种同芯集成的体声波双工器。