[发明专利]一种带隙可调的非晶碳薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202111267283.2 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113969393A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 非晶碳 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种带隙可调的非晶碳薄膜，其特征在于：所述非晶碳薄膜采用射频磁控溅射方法在透明玻璃衬底上制备，制备过程中采用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，采用正丁烷作为磁控溅射过程中的反应气体源，控制射频电源功率为30-200 W，所述非晶碳薄膜的带隙宽度为1.4-2.0 eV。
2.根据权利要求1所述非晶碳薄膜，其特征在于：所述非晶碳薄膜的厚度为200-1000nm。
3.一种带隙可调的非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
（1）在磁控溅射设备上，以透明玻璃为衬底，使用纯度99.999%的石墨盘作为磁控溅射靶材，衬底与靶材之间的距离为75mm；
（2）对衬底进行预加热；
（3）溅射系统腔室抽真空；
（4）通入氩气至腔室内作为等离子体的反应气体；
（5）通入正丁烷作为磁控溅射过程中的反应源气体；
（6）开启射频电源，调节腔室内压强，实现辉光放电，进行非晶碳薄膜沉积，并通过调节射频电源的功率得到带隙不同的非晶碳薄膜。
4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，衬底的预加热温度为200℃。
5.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（3）中，腔室内真空度为10-5 Pa量级。
6.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（4）中，氩气的流量为1.7 sccm。
7.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（5）中，正丁烷通入腔室的流量为9-10 sccm。
8.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（6）中，腔室内压强为0.7 Pa。
9.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于：在步骤（6）中，射频电源功率为30-200W。
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