[发明专利]传感器和电子设备在审
| 申请号： | 202111261026.8 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN114497377A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 林东晰;金来成;权五逵;金畅基;朴仁仙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹;金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 电子设备 | ||
1.传感器，其包括
第一电极和第二电极；以及
在所述第一电极和所述第二电极之间的红外光电转换层，所述红外光电转换层配置成吸收在红外波长谱的至少一部分中的光并且将所吸收的光转换成电信号，
其中所述红外光电转换层包括
具有在红外波长谱中的最大吸收波长的第一材料，
与所述第一材料形成pn结的第二材料，和
具有比所述第一材料的能带隙大了大于或等于1.0eV的能带隙的第三材料，
其中所述第一材料、第二材料、和第三材料彼此不同，和
其中所述第一材料、第二材料、和第三材料各自为非聚合物型材料。
2.如权利要求1所述的传感器，其中在所述第一材料的HOMO能级和所述第三材料的HOMO能级之间的差值小于1.0eV。
3.如权利要求1所述的传感器，其中在所述第二材料的HOMO能级和所述第一材料的HOMO能级之间的差值大于或等于0.5eV。
4.如权利要求1所述的传感器，其中
所述第一材料的能带隙为0.5eV-1.8eV，和
所述第三材料的能带隙为2.8eV-4.0eV。
5.如权利要求1所述的传感器，其中所述第三材料的能带隙大于所述第二材料的能带隙。
6.如权利要求1所述的传感器，其中所述第一材料以比所述第二材料小的量包括在所述红外光电转换层中。
7.如权利要求6所述的传感器，其中所述红外光电转换层中的所述第一材料对所述第二材料的组成比率为0.10:1-0.90:1。
8.如权利要求6所述的传感器，其中所述红外光电转换层中的所述第一材料对所述第二材料的组成比率为0.10:1-0.50:1。
9.如权利要求1所述的传感器，其中所述第一材料和所述第三材料各自以比所述第二材料小的量包括在所述红外光电转换层中。
10.如权利要求1所述的传感器，其中所述第三材料以基于所述红外光电转换层的总体积的1体积％-40体积％的量包括在所述红外光电转换层中。
11.如权利要求1所述的传感器，其中所述第三材料以基于所述红外光电转换层的总体积的7体积％-25体积％的量包括在所述红外光电转换层中。
12.如权利要求1所述的传感器，其中所述红外光电转换层的最大吸收波长比所述第一材料的最大吸收波长长。
13.如权利要求1所述的传感器，其中随着所述红外光电转换层中的所述第三材料的含量增加，所述传感器的最大吸收波长或最大外量子效率波长朝着更长波长移动。
14.如权利要求1所述的传感器，其中所述第三材料为有机材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111261026.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
