[发明专利]一种具有低温度系数和高电源抑制比高低压转换电路

说明书

本发明公开了一种具有低温度系数和高电源抑制比高低压转换电路，属于集成电路领域，包括：无运放带隙基准电路、高压转低压电路；所述无运放带隙基准电路与高压转低压电路相连接；本发明在元器件参数选取合适的情况下，可以显著降低电路的温漂效应，所产生的低压可以稳定的给集成电路中的低压部分供电，以减少温度对集成电路的影响，极大的提高了集成电路在高温和低温环境下的工作稳定性。

技术领域

本发明涉及属于集成电路领域，更为具体的，涉及一种具有低温度系数和高电源抑制比高低压转换电路。

背景技术

在模拟芯片中经常需要多路不同电压的电源供内部不同类型MOS管使用。在此类的芯片中通常是单独设计高低压电源转换电路。传统的高低压转换电路通常有两种。第一种是利用齐纳管的稳压特性来稳定低压电源。第二种是利用高压MOS管搭建带隙基准电路，然后通过LDO结构来实现高低压转换。

这两种做法都有其弊端，第一种方法的温度系数差，低压电源不稳定，并且电源抑制比差，当高压部分变化太大时会对产生的低压部分产生较大影响。第二种方式电路结构复杂，如果想得到较低的温度系数和和较好的电源抑制比，使电路在高温或者低温仍然能够正常工作，电路所需的元器件使用数量增加，消耗很大的芯片面积。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种具有低温度系数和高电源抑制比高低压转换电路，可以简化高低压转换电路的电路结构，降低设计的复杂度，减少芯片面积，同时又保证了电源电压的精度以及较低的温度系数和高电源抑制比，使电路在高温或者低温下能够具有良好的稳定性，显著降低电路的温漂效应，所产生的低压可以稳定的给集成电路中的低压部分供电，以减少温度对集成电路的影响，极大的提高了集成电路在高温和低温环境下的工作稳定性。

本发明的目的是通过以下方案实现的：

一种具有低温度系数和高电源抑制比高低压转换电路，包括无运放带隙基准电路、高压转低压电路；所述无运放带隙基准电路与高压转低压电路相连接。

进一步地，所述无运放带隙基准电路包括第一电流产生单元、低温度系数的带隙基准电压产生单元、反馈电压单元和第二电流产生单元；所述第一电流产生单元给整个无运放带隙基准电路提供第一电流，所述第二电流产生单元给低温度系数的带隙基准电压产生单元提供第二电流，所述反馈电压单元的反馈电压送给高压转低压电路。

进一步地，所述低温度系数的带隙基准电压产生单元包括NPN管N1、NPN管N2、电阻R1和电阻R2；所述NPN管N1的发射级与电阻R1的下端、电阻R2的上端相连接；所述NPN管N2的发射极与电阻R1的上端相连接；所述电阻R2的下端接地。

进一步地，所述第一电流产生单元包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4；所述PMOS管P2的漏极与PMOS管P4的源极连接；所述PMOS管P1的栅极与PMOS管P1的漏极、PMOS管P2的栅极连接，其漏极与PMOS管P3的源极相连；所述PMOS管P2的漏极与PMOS管P4的源极连接；所述PMOS管P3的栅极与自身的漏极以及PMOS管P4的栅极相连，其漏极与NPN管N1的集电极相连；所述PMOS管P4的漏极NPN管N2的集电极、PMOS管P5的栅极相连，其电压作为基准电压VREF2；该基准电压VREF2作为反馈电压单元。

进一步地，所述第二电流产生单元包括偏置电流源ibias1；所述偏置电流源ibias1的正极和偏置电流源ibias2的正极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、NPN管N6的发射极、PNP管Q3的发射极以及电阻R5的上端连接，并且ibias1的正极电压大小为LV；所述偏置电流源ibias1的负极与NPN管N1的基极、NPN管N2的基极、以及电阻R4的上端相连，其电压作为基准电压VREF1；该基准电压VREF1作为低温度系数的带隙基准电压。